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一种提高介电材料电场击穿强度的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010981723.X
  • IPC分类号:C04B35/622;C04B35/493;C01G53/00;C23C26/00
  • 申请日期:
    2020-09-17
  • 申请人:
    广西大学
著录项信息
专利名称一种提高介电材料电场击穿强度的方法
申请号CN202010981723.X申请日期2020-09-17
法律状态实质审查申报国家暂无
公开/公告日2020-12-11公开/公告号CN112062578A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C04B35/622IPC分类号C;0;4;B;3;5;/;6;2;2;;;C;0;4;B;3;5;/;4;9;3;;;C;0;1;G;5;3;/;0;0;;;C;2;3;C;2;6;/;0;0查看分类表>
申请人广西大学申请人地址
广西壮族自治区南宁市大学东路100号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人广西大学当前权利人广西大学
发明人彭彪林;唐嗣麟
代理机构广州市华学知识产权代理有限公司代理人暂无
摘要
本发明涉及一种提高介电材料电场击穿强度的方法,属于物理工程技术领域。一种提高介电材料电场击穿强度的方法,是将LaNiO3前驱体溶液旋涂于Pt(111)衬底制得第一湿膜;所得第一湿膜干燥、热解、退火制得多层LaNiO3薄膜;将PLZST前驱体溶液旋涂于所得多层LaNiO3/Pt(111)上制得第二湿膜;所得第二湿膜干燥、热解、退火制得多层PLZST薄膜;选定电场下测试材料的击穿场强;将样品低温极化,得到材料的新的击穿场强。本发明低温极化过程中缺陷偶极子的高度有序化,唤醒材料更高的击穿场强。

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