一种新型碳化硅纳米颗粒的制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201210144493.7
IPC分类号：C23C18/44;C23C18/18;B22F1/02;C04B35/628
申请日期：
2012-05-11
申请人：
上海上大瑞沪微系统集成技术有限公司

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著录项信息

专利名称	一种新型碳化硅纳米颗粒的制备方法
申请号	CN201210144493.7	申请日期	2012-05-11
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2012-09-26	公开/公告号	CN102691055A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C18/44 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C18/00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆）；接触镀〔4，2006.01〕 C23C18/16 还原法或置换法，例如无电流镀（C23C 18/54优先）〔4〕 C23C18/31 用金属镀覆〔5〕 C23C18/42 镀贵金属〔4，5〕 C23C18/44 使用还原剂〔4，5〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;8;/;4;4;;;C;2;3;C;1;8;/;1;8;;;B;2;2;F;1;/;0;2;;;C;0;4;B;3;5;/;6;2;8查看分类表>
申请人	上海上大瑞沪微系统集成技术有限公司	申请人地址	上海市闸北区延长路149号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海上大瑞沪微系统集成技术有限公司	当前权利人	上海上大瑞沪微系统集成技术有限公司
发明人	刘建影
代理机构	上海上大专利事务所（普通合伙）	代理人	陆聪明

摘要

本发明公开了一种新型碳化硅纳米颗粒的制备方法，用于强化复合无铅焊料。目的是合成一种用于电子元器件焊接及表面封装的碳化硅纳米颗粒。本发明的特点是采用化学镀的方法在碳化硅纳米颗粒的表面镀一层厚度约为2-5nm的纳米银颗粒，将此表面镀银的碳化硅纳米颗粒加入锡基无铅焊料，用于增加焊料的强度，同时不影响原焊料的传热性和导电性。其操作简便，无高温，高压等特殊要求，且单次处理量远高于电镀方法，因而更易于工业放大，同时由于整个处理过程均在溶液体系中进行，有效的减少纳米颗粒向环境中的扩散，从而减少了对于工作人员健康的危害，做到了环境友好。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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