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一种黑硅MSM结构光电探测器及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201010249481.1
IPC分类号：H01L31/101;H01L31/0248;H01L31/18
申请日期：
2010-08-10
申请人：
电子科技大学

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种黑硅MSM结构光电探测器及其制备方法
申请号	CN201010249481.1	申请日期	2010-08-10
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2011-02-09	公开/公告号	CN101969080A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/101 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/058 （转入H01L 31/0525，H02S 40/44） H01L31/08 其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器〔2〕 H01L31/10 特点在于至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的，例如光敏晶体管〔2〕 H01L31/101 对红外、可见或紫外辐射敏感的器件〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;1;0;1;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;4;8;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人	电子科技大学	申请人地址	四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	电子科技大学	当前权利人	电子科技大学
发明人	蒋亚东;赵国栋;吴志明;李伟;姜晶;张安元;郭正宇
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明公开了一种黑硅MSM光电探测器，包括单晶硅衬底，其特征在于，在所述单晶硅衬底表面设置有作为光敏区的黑硅薄膜层，在所述黑硅薄膜层设有叉指电极，叉指电极下方设有势垒层，在没有设置叉指电极的区域设置有钝化层。该器件具有宽的光谱响应范围和较高的响应度，可以用以对紫外、可见或者近红外光探测。

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