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具有包括埋入部分的控制结构的半导体器件及制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201510564952.0
  • IPC分类号:H01L29/06;H01L29/772;H01L21/74;H01L21/334
  • 申请日期:
    2015-09-08
  • 申请人:
    英飞凌科技股份有限公司
著录项信息
专利名称具有包括埋入部分的控制结构的半导体器件及制造方法
申请号CN201510564952.0申请日期2015-09-08
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-03-16公开/公告号CN105405868A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/06IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;7;7;2;;;H;0;1;L;2;1;/;7;4;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;4查看分类表>
申请人英飞凌科技股份有限公司申请人地址
德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-12号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人英飞凌科技股份有限公司当前权利人英飞凌科技股份有限公司
发明人R.巴布尔斯克;M.戴内塞;J.G.拉文;P.莱希纳;H-J.舒尔策
代理机构中国专利代理(香港)有限公司代理人申屠伟进;王传道
摘要
本发明涉及具有包括埋入部分的控制结构的半导体器件及制造方法。一种半导体器件包括具有第一导电类型的源极区和第二导电类型的本体区的晶体管单元。源极区和本体区形成在由半导体本体的一部分形成的半导体台面中。控制结构包括在半导体台面的至少两个相对侧上延伸到半导体本体中的第一部分、第一部分之间的距第一表面一定距离的第二部分、以及距第一表面一定距离并且连接第一部分和第二部分的第三部分,其中半导体台面的收缩区段形成在相邻的第三部分之间。

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