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在薄膜光伏器件中形成作为背接触的各向异性传导层的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201110257395.X
  • IPC分类号:H01L31/18;H01L31/0224
  • 申请日期:
    2011-08-25
  • 申请人:
    初星太阳能公司
著录项信息
专利名称在薄膜光伏器件中形成作为背接触的各向异性传导层的方法
申请号CN201110257395.X申请日期2011-08-25
法律状态授权申报国家暂无
公开/公告日2012-03-21公开/公告号CN102386274A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/18IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;1;8;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;2;4查看分类表>
申请人初星太阳能公司申请人地址
美国科罗拉多州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人初星太阳能公司当前权利人初星太阳能公司
发明人T·J·卢卡斯;R·D·戈斯曼;S·D·费尔德曼-皮博迪
代理机构中国专利代理(香港)有限公司代理人柯广华;朱海煜
摘要
本发明名称为“在薄膜光伏器件中形成作为背接触的各向异性传导层的方法”。一般地提供了薄膜光伏器件10。器件10可包括玻璃衬底12上的透明传导氧化层14、透明传导层14上的n型薄膜层18、以及n型层18上的p型薄膜层20。n型薄膜层18和p型薄膜层20形成p‑n结。各向异性传导层22施加在p型薄膜层20上,并包括聚合粘合剂和多个传导颗粒23。然后,可将金属接触层24放置在各向异性传导层22上。

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