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一种原位生长石墨烯增强金属基复合材料的制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201611169561.X
  • IPC分类号:C22C1/04;C22C1/10;C22C32/00
  • 申请日期:
    2016-12-16
  • 申请人:
    天津大学
著录项信息
专利名称一种原位生长石墨烯增强金属基复合材料的制备方法
申请号CN201611169561.X申请日期2016-12-16
法律状态暂无申报国家暂无
公开/公告日2017-03-22公开/公告号CN106521204A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C22C1/04IPC分类号C;2;2;C;1;/;0;4;;;C;2;2;C;1;/;1;0;;;C;2;2;C;3;2;/;0;0查看分类表>
申请人天津大学申请人地址
天津市津南区海河教育园雅观路135号天津大学北洋园校区 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人天津大学当前权利人天津大学
发明人赵乃勤;沙军威;张翔;马丽颖;刘恩佐;师春生;何春年;李群英;李家俊
代理机构天津市北洋有限责任专利代理事务所代理人王丽
摘要
本发明涉及一种原位生长石墨烯增强金属基复合材料的制备方法,将含碳有机物与金属或金属合金粉末在溶剂中溶解混合,在机械搅拌和加热50‑150℃混合并蒸发溶剂,通过50‑100℃真空干燥、研磨过程,得到预制粉末;利用热压成型法、冷压‑烧结法或SPS烧结法的粉末冶金工艺,将预制粉末压制成型,将含碳有机物转化为石墨烯,得到三维石墨烯/金属基复合材料。本发明简单易行,制备周期短,易于工业化批量生产,并且石墨烯在制备过程中直接从金属基体上进行生长,所制得的石墨烯增强金属基复合材料中石墨烯晶化程度高,缺陷少,分散性好。在复合材料、功能材料等领域有着潜在的应用前景。

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