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具有软基准层的磁存储器件

发明专利有效专利

申请号：
CN02157854.0
IPC分类号：G11C11/15
申请日期：
2002-12-20
申请人：
惠普公司

基础信息

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	具有软基准层的磁存储器件
申请号	CN02157854.0	申请日期	2002-12-20
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2003-07-02	公开/公告号	CN1427416
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C11/15 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C11/00 以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器；为此所用的存储元件（G11C 14/00至G11C 21/00优先）〔5〕 G11C11/02 应用磁性元件的 G11C11/14 应用薄膜元件的 G11C11/15 应用多层磁性层的（G11C 11/155优先）〔2〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;1;/;1;5查看分类表>
申请人	惠普公司	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三星电子株式会社	当前权利人	三星电子株式会社
发明人	M·沙马;T·C·安东尼;L·特兰
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	张波

摘要

一种磁性存储器件(10)包括第一和第二铁磁层(12和14)。每个铁磁层(12和14)具有可以在两个方向中的任何一个取向的磁化。第一铁磁层(12)比第二铁磁层(14)的矫顽磁性高。磁性存储器件(10)还包括用第二铁磁层(14)形成闭合磁通路线的结构(20)。

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