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薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201610244601.6
  • IPC分类号:H01L29/10;H01L29/417
  • 申请日期:
    2016-04-18
  • 申请人:
    京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
著录项信息
专利名称薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置
申请号CN201610244601.6申请日期2016-04-18
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2016-08-17公开/公告号CN105870169A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/10
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;1;0;;;H;0;1;L;2;9;/;4;1;7查看分类表>
申请人京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司申请人地址
北京市朝阳区酒仙桥路10号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人京东方科技集团股份有限公司,合肥鑫晟光电科技有限公司当前权利人京东方科技集团股份有限公司,合肥鑫晟光电科技有限公司
发明人苏同上;王东方;刘广辉;许凯;杜生平;袁广才
代理机构北京三高永信知识产权代理有限责任公司代理人滕一斌
摘要
本发明公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置,属于显示装置技术领域。该薄膜晶体管包括:衬底基板、有源层、栅极绝缘层、栅极、源极以及漏极;有源层设置在所述衬底基板上;栅极绝缘层设置在有源层上,并且栅极绝缘层的长度小于或者等于有源层的长度;栅极设置在栅极绝缘层上,源极和漏极设置在衬底基板上并且分别与有源层的相对的两侧连接;栅极绝缘层的长度为栅极绝缘层沿平行于源极和漏极连线方向的尺寸,有源层的长度为有源层沿平行于源极和漏极连线方向的尺寸。该薄膜晶体管由于不需要设置过孔即实现了源极和漏极与有源层的连接,因此该薄膜晶体管具有较大的沟道宽长比W/L,从而提高薄膜晶体管的电学性能。

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