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半导体发光元件

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200510108290.2
  • IPC分类号:H01L33/00
  • 申请日期:
    2005-10-10
  • 申请人:
    日立电线株式会社
著录项信息
专利名称半导体发光元件
申请号CN200510108290.2申请日期2005-10-10
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2006-09-20公开/公告号CN1835252
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/00IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人日立电线株式会社申请人地址
日本东京都 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人日立电线株式会社当前权利人日立电线株式会社
发明人新井优洋;今野泰一郎;饭和幸
代理机构北京银龙知识产权代理有限公司代理人郝庆芬
摘要
在把含高浓度p型掺杂物的接触层作为最上层的半导体发光元件中,获得除了有效抑制来自上述接触层的掺杂物扩散、且是高亮度而且低驱动电压之外,在驱动半导体发光元件方面,还能预防出现时效性的发光输出降低以及驱动电压上升的结构。提供一种半导体发光元件,它在半导体基板(1)上结晶生长至少n型包层(3)、活性层(4)、p型包层(5),进而在这些层的最上层上层叠添加了大于等于1×1019/cm3的p型掺杂物的As系接触层(7),进而在其上形成由ITO膜(8)组成的电流分散层;在所述接触层(7)和p型包层(5)之间,设置由作为V族元素包含磷、而且对于所述半导体基板(1)结晶的晶格不匹配率在±0.3%以内的III-V族半导体构成的缓冲层6。

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