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自对准锗硅异质结双极型三极管器件及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201310390404.1
  • IPC分类号:--
  • 申请日期:
    2013-08-30
  • 申请人:
    上海华虹宏力半导体制造有限公司
著录项信息
专利名称自对准锗硅异质结双极型三极管器件及其制造方法
申请号CN201310390404.1申请日期2013-08-30
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2015-03-18公开/公告号CN104425577A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号暂无IPC分类号暂无查看分类表>
申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华虹宏力半导体制造有限公司当前权利人上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人周正良;陈曦;潘嘉
代理机构上海浦一知识产权代理有限公司代理人丁纪铁
摘要
本发明公开了一种自对准锗硅异质结双极型三极管器件,集电区包括位于有源区中的第一离子注入区、第二离子注入区和第三离子注入区;本征基区由形成于有源区上的锗硅外延层组成,外基区多晶硅在本征基区两侧且被氧化硅保护层包围,其位于浅槽场氧上方并与浅槽场氧接触,表面不低于有源区硅表面且低于锗硅外延层的表面,氧化硅保护层底部与浅槽场氧接触且表面高于锗硅外延层的表面;发射区由基区上部的N型发射极多晶硅组成。本发明还公开了该器件的制造方法。本发明可拉开发射极多晶硅和外基区多晶硅的间距以及选择性集电极离子注入区和外基区多晶硅的间距,降低发射极‑基极电容、基极一集电极电容和基极电阻,提高器件的特征频率及其它射频特性。

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