基于齿槽结构的磁性流体单极密封装置

发明专利无效专利

申请号：
CN201210098610.0
IPC分类号：F16J15/43
申请日期：
2012-04-06
申请人：
哈尔滨工业大学

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著录项信息

专利名称	基于齿槽结构的磁性流体单极密封装置
申请号	CN201210098610.0	申请日期	2012-04-06
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2012-07-18	公开/公告号	CN102588607A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	F16J15/43 ? IPC结构图谱： F 机械工程；照明；加热；武器；爆破 F1 一般工程 F16 工程元件或部件；为产生和保持机器或设备的有效运行的一般措施；一般绝热 F16J 活塞；缸；一般压力容器；密封 F16J15/00 密封 F16J15/16 在相对运动的表面之间（F16J 15/50，F16J 15/52优先；膜盒活塞入F16J 3/06；一般活塞环或类似结构的环密封件入F16J 9/00） F16J15/40 用流体 F16J15/43 靠磁力保持在密封位置〔6〕	IPC分类号	F;1;6;J;1;5;/;4;3查看分类表>
申请人	哈尔滨工业大学	申请人地址	黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	哈尔滨工业大学	当前权利人	哈尔滨工业大学
发明人	刘承军;江善林;赵猛;邹继斌;胡建辉;徐永向;尚静;李勇;王骞;禹国栋
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明提供了一种基于齿槽结构的磁性流体单极密封装置，包括：第一磁极、磁钢、第二磁极和磁性流体，所述磁钢的两侧为第一磁极和第二磁极，第二磁极上设有上齿槽，第一磁极上设有下齿槽，所述上齿槽和下齿槽交错设置，上齿槽和下齿槽之间形成密封间隙，磁性流体设置在上齿槽和下齿槽之间，所述第一磁极、磁钢、第二磁极和磁性流体围成的区域即密封区域。本发明由于齿槽结构的影响，密封间隙处的磁场变化较大，磁性流体在密封区域的分布将受到影响；同时磁性流体的磁性对齿槽位置的磁场也会产生影响，从而影响齿槽附近的磁场分布。通过有限元计算，这种影响是增强的。本发明磁极的齿槽结构可以有效的提高磁性流体密封装置的密封能力10~15%。

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