半导体存储单元的制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN97103791.4
IPC分类号：--
申请日期：
1997-04-18
申请人：
LG半导体株式会社

基础信息

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体存储单元的制造方法
申请号	CN97103791.4	申请日期	1997-04-18
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	1998-02-25	公开/公告号	CN1174407
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	LG半导体株式会社	申请人地址	韩国忠清北道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	LG半导体株式会社	当前权利人	LG半导体株式会社
发明人	高相基
代理机构	中原信达知识产权代理有限责任公司	代理人	余朦

摘要

一种半导体存储单元制造方法包括具有有源区的半导体衬底上形成预定厚度的场氧化膜以覆盖有源区；去掉部分场氧化膜；在有源区的预定位置上形成至少一个栅极电极；在衬底内在栅极电极的每一侧上形成第[1]二源极区和漏极区；在包括栅极电极的衬底的上形成层间电介质膜；刻蚀层间电介质膜形成接触孔；在衬底规定区域上和接触孔内形成位线；刻蚀层间电介质膜形成节点接触孔以把部分第[1]二源极区和与第[1]二源极区毗邻的部分场区露出；在层间电介质膜上和通过该处的节点接触孔内形成节点电极。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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