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LTE-V2X外场性能测试场景合格的判断方法及装置

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201711350899.X
  • IPC分类号:H04W24/00;H04W4/40;H04W4/70
  • 申请日期:
    2017-12-15
  • 申请人:
    深圳无线电检测技术研究院;国家无线电监测中心检测中心
著录项信息
专利名称LTE-V2X外场性能测试场景合格的判断方法及装置
申请号CN201711350899.X申请日期2017-12-15
法律状态授权申报国家暂无
公开/公告日2018-06-15公开/公告号CN108174390A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H04W24/00IPC分类号H;0;4;W;2;4;/;0;0;;;H;0;4;W;4;/;4;0;;;H;0;4;W;4;/;7;0查看分类表>
申请人深圳无线电检测技术研究院;国家无线电监测中心检测中心申请人地址
广东省深圳市福田区华富街道深南大道1006号国际创新中心E栋 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人深圳无线电检测技术研究院,国家无线电监测中心检测中心当前权利人深圳无线电检测技术研究院,国家无线电监测中心检测中心
发明人杜昊;郭伟斌;许瑞琛;吕玉琦;王筠婷;李晓帆;张莎
代理机构北京智汇东方知识产权代理事务所(普通合伙)代理人康正德;孙晓芳
摘要
本发明提供了一种LTE‑V2X外场性能测试场景合格的判断方法与装置。其中,LTE‑V2X外场性能测试场景合格的判断方法包括:响应输入的待测试的外场测试场景的场景类型,获取场景类型下的最小路径损耗值;获取信号源在待测试的外场测试场景的第一预定位置发送的标准调制信号以及接收机在待测试的外场测试场景的第二预定位置接收的信号源数据;根据标准调制信号和信号源数据,获取在待测试的外场测试场景下的实际路径损耗值;判断实际路径损耗值是否大于或等于最小路径损耗值,如果是,则判定待测试的外场测试场景合格,否则,判定待测试的外场测试场景不合格。

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