银合金蚀刻液

1.一种银合金蚀刻液，其特征在于，包含：(A)1至60重量份的过氧化氢；(B)1至60重量份的硫酸、硝酸、或有机酸；以及(C)5至90重量份的水。
2.如权利要求1所述的银合金蚀刻液，其特征在于，其中还包含1至20重量份的铵化物。
3.如权利要求2所述的银合金蚀刻液，其特征在于，其中该铵化物为硫酸铵、醋酸铵、硝酸铵、或氢氧化铵。
4.如权利要求1所述的银合金蚀刻液，其特征在于，其中该有机酸为氨基酸。
5.如权利要求2所述的银合金蚀刻液，其特征在于，包含：(A)1至20重量份的过氧化氢；(B)1至20重量份的铵化物；(C)1至20重量份的氨基酸；以及(D)5至90重量份的水。
6.如权利要求5所述的银合金蚀刻液，其特征在于，其中该氨基酸为氨基乙酸。
7.一种形成具图样的银合金的方法，其特征在于，包含以下的步骤：(A)提供一具银合金的基板：(B)在该基板上形成至少一光阻并由曝光形成有图样的光阻层；以及(C)将一银合金蚀刻液涂覆于该基板的银合金表面或将该具银合金的基板浸渍于该银合金蚀刻液；其中该银合金蚀刻液包含：1至60重量份的过氧化氢；1至60重量份的硫酸、硝酸、或有机酸；以及5至90重量份的水。
8.如权利要求7所述的形成具图样的银合金的方法，其特征在于，其中该银合金蚀刻液还包含1至20重量份的铵化物。
9.如权利要求8所述的形成具图样的银合金的方法，其特征在于，其中该铵化物为硫酸铵、醋酸铵、硝酸铵、或氢氧化铵。
10.如权利要求7所述的形成具图样的银合金的方法，其特征在于，其中该有机酸为氨基酸。
11.如权利要求8所述的形成具图样的银合金的方法，其特征在于，其中该银合金蚀刻液包含：(A)1至20重量份的过氧化氢；(B)1至20重量份的铵化物；(C)1至20重量份的氨基酸；以及(D)5至90重量份的水。
12.如权利要求11所述的形成具图样的银合金的方法，其特征在于，其中该氨基酸为氨基乙酸。

银合金蚀刻液\n技术领域\n本发明是关于一种蚀刻液，尤指一种适用于银合金的蚀刻液。\n背景技术\n目前的平面显示装置，尤其是有机电激发光显示器，多使用铬金属作为导线的材料。但是因为铬金属的阻值高，因此研究者一直在寻求利用阻值较低的金属作为导线的材料。以往曾经有提议以银作为平面显示装置的导线材料，但是因为无适当稳定的蚀刻液组成物，所以并未有广泛的运用。\n近几年为提高平面显示装置的效能，研究者仍专注于如何降低导线材料的电阻值。银合金目前被视为适当的导线材料，因其阻值低于其他的金属。此外，含银量超过80％以上的银合金，虽然阻值未若银金属一般低，但是其阻值远低于铬金属。然而由于银合金未具有适当的蚀刻液，所以并没有广泛应用于晶片或面板的黄光制程。\n发明人爰因于此，本于积极发明的精神，亟思一种可以解决上述问题的“银合金蚀刻液”，几经研究实验终至完成此项嘉惠世人的发明。\n发明内容\n本发明的主要目的是在提供一种银合金蚀刻液，以便能有效用以蚀刻含银量超过80％以上的银合金以形成图样。\n为达成上述的目的，本发明一种银合金蚀刻液，其特征在于，包含：(A)1至60重量份的过氧化氢；(B)1至60重量份的硫酸、硝酸、或有机酸；以及(C)5至90重量份的水。\n其中还包含1至20重量份的铵化物。\n其中该铵化物为硫酸铵、醋酸铵、硝酸铵、或氢氧化铵。\n其中该有机酸为氨基酸。\n其中包含：(A)1至20重量份的过氧化氢；(B)1至20重量份的铵化物；(C)1至20重量份的氨基酸；以及(D)5至90重量份的水。\n其中该氨基酸为氨基乙酸。\n本发明一种银合金蚀刻液，其特征在于，包含：(A)1至60重量份的铵化物；(B)1至60重量份的过氧化氢；以及(C)0至96重量份的水。\n其中该铵化物为硫酸铵、醋酸铵、硝酸铵、或氢氧化铵。\n其还包含1至10重量份的硫酸、硝酸、或有机酸。\n其中该有机酸为苯酚磺酸或醋酸。\n本发明一种形成具图样的银合金的方法，其特征在于，包含以下的步骤：(A)提供一具银合金的基板：(B)在该基板上形成至少一光阻并由曝光形成有图样的光阻层；以及(C)将一银合金蚀刻液涂覆于该基板的银合金表面或将该具银合金的基板浸渍于该银合金蚀刻液；其中该银合金蚀刻液包含：1至60重量份的过氧化氢；1至60重量份的硫酸、硝酸、或有机酸；以及5至90重量份的水。\n其中该银合金蚀刻液还包含1至20重量份的铵化物。\n其中该铵化物为硫酸铵、醋酸铵、硝酸铵、或氢氧化铵。\n其中该有机酸为氨基酸。\n其中该银合金蚀刻液包含：(A)1至20重量份的过氧化氢；(B)1至20重量份的铵化物；(C)1至20重量份的氨基酸；以及\n(D)5至90重量份的水。\n其中该氨基酸为氨基乙酸。\n本发明一种形成具图样的银合金的方法，其特征在于，包含以下的步骤：(A)提供一具银合金的基板；(B)在该基板上形成至少一光阻并藉由曝光形成有图样的光阻层；以及(C)将一银合金蚀刻液涂覆于该基板的银合金表面或将该具银合金的基板浸渍于该银合金蚀刻液；其中该银合金蚀刻液包含：1至60重量份的铵化物；1至60重量份的过氧化氢；以及0至96重量份的水。\n其中该铵化物为硫酸铵、醋酸铵、硝酸铵、或氢氧化铵。\n其中该银合金蚀刻液还包含1至10重量份的硫酸、硝酸、或有机酸。\n其中该有机酸为苯酚磺酸或醋酸。\n由于本发明组成新颖，能提供产业上利用，且确有增进功效，故依法申请发明专利。\n具体实施方式\n为能让审查员能更了解本发明的技术内容，特举银合金用蚀刻液较佳实施例1-8将过氧化氢与硝酸依照下表1的比例调配溶液，并加入水至100克配置成下列浓度的蚀刻液。一具有银合金薄膜的硅基板由旋转涂布，将一光阻层涂布于其上；其中该银合金薄膜依溅镀的方法形成于硅基板上，并包含98％以上的银，0.9％的钯及1.0％以上的铜。随后将硅基板曝光形成有图样的光阻层；再将该硅基板涂覆或浸渍于依据表1所配置的蚀刻液中，并进行蚀刻速率测量，结果如下表1所示。\n表1\n在蚀刻完成后，检查硅基板发现硅基板与图样的光阻并无被破坏。故该蚀刻液只选择性地对银合金做蚀刻。\n实施例9-23将过氧化氢与硫酸依照下表2的比例调配溶液，并加入水至100克配置成下列浓度的蚀刻液。一具有银合金薄膜的硅基板藉由旋转涂布，将一光阻层涂布于其上；其中该银合金薄膜依溅镀的方法形成于硅基板上，并包含98％以上的银，0.9％的钯及1.0％以上的铜。随后将硅基板曝光形成有图样的光阻层；再将该硅基板涂覆或浸渍于依据表2所配置的蚀刻液中，并进行蚀刻速率测量，结果如下表2所示。\n表2\n在蚀刻完成后，检查硅基板发现硅基板与图样的光阻并无被破坏。故该蚀刻液只选择性地对银合金做蚀刻。\n实施例24-32将过氧化氢、硫酸、与醋酸铵依照下表3的比例调配溶液，并加入水至100克配置成下列浓度的蚀刻液。一具有银合金薄膜的硅基板由旋转涂布，将一光阻层涂布于其；：其中该银合金薄膜依溅镀的方法形成于硅基板上，并包含98％以上的银，0.9％的钯及1.0％以上的铜。随后将硅基板曝光形成有图样的光阻层；再将该硅基板涂覆或浸渍于依据表3所配置的蚀刻液中，并进行蚀刻速率测量，结果如下表3所示。\n表3\n在蚀刻完成后，检查硅基板发现硅基板与图样的光阻并无被破坏。故该蚀刻液只选择性地对银合金做蚀刻。\n实施例33-38将过氧化氢、氨基乙酸、与硫酸铵依照下表4的比例调配溶液，并加入水至100克配置成下列浓度的蚀刻液。一具有银合金薄膜的硅基板由旋转涂布，将一光阻层涂布于其上；其中该银合金薄膜依溅镀的方法形成于硅基板上，并包含98％以上的银，0.9％的钯及1.0％以上的铜。随后将硅基板曝光形成有图样的光阻层；再将该硅基板涂覆或浸渍于依据表4所配置的蚀刻液中，并进行蚀刻速率测量，结果如下表4所示。\n表4\n在蚀刻完成后，检查硅基板发现硅基板与图样的光阻并无被破坏。故该蚀刻液只选择性地对银合金做蚀刻。\n实施例39-46将过氧化氢与氢氧化铵依照下表5的比例调配溶液，并加入水至100克配置成下列浓度的蚀刻液。一具有银合金薄膜的硅基板由旋转涂布，将一光阻层涂布于其上；其中该银合金薄膜依溅镀的方法形成于硅基板上，并包含，98％以上的银，0.9％的钯及1.0％以上的铜。随后将硅基板曝光形成有图样的光阻层；再将该硅基板涂覆或浸渍于依据表5所配置的蚀刻液中，并进行蚀刻速率测量，结果如下表5所示。\n表5\n实施例47-61\n将过氧化氢、氢氧化铵、与苯酚磺酸依照下表6的比例调配溶液，并加入水至100克配置成下列浓度的蚀刻液。一具有银合金薄膜的硅基板由旋转涂布，将一光阻层涂布于其上；其中该银合金薄膜依溅镀的方法形成于硅基板上，并包含98％以上的银，0.9％的钯及1.0％以上的铜。随后将硅基板曝光形成有图样的光阻层；再将该硅基板涂覆或浸渍于依据表6所配置的蚀刻液中，并进行蚀刻速率测量，结果如下表6所示。\n表6\n由上的数据可知，本发明的蚀刻液可以有效地对银合金进行蚀刻，并且对于基板不产生破坏。同时可由时间的调整与浓度的选择，控制对银合金蚀刻的程度与速率。此外，其可以结合黄光制程应用于微机电、晶片或面板基板的制造，容易的形成具图样的银合金。\n综上所述，本发明无论就目的、手段及功效，均不同于现有技术的特征，为“银合金蚀刻液”，的一大突破。惟应注意的是，上述诸多实施例仅是为了便于说明而举例而已，本发明所主张的权利范围自应以申请专利范围所述为准，而非仅限于上述实施例。