具有串联的双NMOS的集成电路

实用新型专利无效专利

申请号：
CN201320672914.3
IPC分类号：--
申请日期：
2013-10-29
申请人：
无锡中星微电子有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	具有串联的双NMOS的集成电路
申请号	CN201320672914.3	申请日期	2013-10-29
法律状态	放弃专利权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	无锡中星微电子有限公司	申请人地址	江苏省无锡市新区太湖国际科技园清源路530大厦A区10层变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	无锡中感微电子股份有限公司	当前权利人	无锡中感微电子股份有限公司
发明人	王钊
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本实用新型涉及一种具有串联的双NMOS的集成电路，包括：至少一个第一NMOS，置于晶圆第一面，具有第一栅极和第一源极；至少一个第二NMOS，置于晶圆第二面，具有第二栅极和第二源极；所述至少一个第一NMOS和至少一个第二NMOS在与晶圆表面垂直的纵向上共用N-型半导体衬底的N-区域，所述至少一个第一NMOS的栅极和至少一个第二NMOS的源极的位置彼此对应，所述至少一个第一NMOS的源极和至少一个第二NMOS的栅极的位置彼此对应。本实用新型实现了导通电阻相等的情况下，晶片面积更小，易于采用更小的封装，使芯片面积更小。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供