一种对气体传感器或半导体器件性能进行测试的系统

发明专利无效专利

申请号：
CN200610112883.0
IPC分类号：G01N27/00;G01N1/38;H05B3/20;H05B1/00
申请日期：
2006-09-06
申请人：
中国科学院半导体研究所

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法律信息

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著录项信息

专利名称	一种对气体传感器或半导体器件性能进行测试的系统
申请号	CN200610112883.0	申请日期	2006-09-06
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2008-03-12	公开/公告号	CN101140252
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N27/00 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N27/00 用电、电化学或磁的方法测试或分析材料（G01N 3/00至G01N 25/00优先；电或磁变量的测量或试验，材料的电磁性能的测试或试验入G01R）	IPC分类号	G;0;1;N;2;7;/;0;0;;;G;0;1;N;1;/;3;8;;;H;0;5;B;3;/;2;0;;;H;0;5;B;1;/;0;0查看分类表>
申请人	中国科学院半导体研究所	申请人地址	北京市海淀区清华东路甲35号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院半导体研究所	当前权利人	中国科学院半导体研究所
发明人	王晓亮;王新华;冯春;王保柱;马志勇;王军喜;胡国新;肖红领;冉军学;王翠梅
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	周国城

摘要

本发明公开了一种对气体传感器或半导体器件性能进行测试的系统，该系统包括：配气单元，用于为测试气体传感器气敏性能提供可控浓度且均匀混合的测试用气体，并在对气体传感器气敏性能测试完成后排出测试用气体；加热单元，用于控制测试温度，满足对气体传感器或半导体器件性能进行测试的不同温度条件需要；测试单元，用于测试在不同温度和不同浓度测试用气体下气体传感器或半导体器件电流电压特性的变化，实现对气体传感器或半导体器件性能进行的测试。利用本发明，实现了在高温下对气体传感器的气敏性能和半导体器件的电学性能进行测试，满足了对气体传感器和半导体器件研究测试的需要。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
1	CN2069554U	暂无	1990-05-31	简易内热式样品消化电热器失效专利	李云生
2	CN2359693Y	暂无	1999-01-14	一种动态气敏元件性能测试装置失效专利	中国科学院合肥智能机械研究所

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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