抗电磁干扰的功率器件

发明专利有效专利

申请号：
CN201710502967.3
IPC分类号：H01L27/06
申请日期：
2017-06-27
申请人：
苏州美天网络科技有限公司

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著录项信息

专利名称	抗电磁干扰的功率器件
申请号	CN201710502967.3	申请日期	2017-06-27
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2017-11-21	公开/公告号	CN107369683A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/06 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/04 其衬底为半导体的〔2〕 H01L27/06 在非重复结构中包括有多个单个组件的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;0;6查看分类表>
申请人	苏州美天网络科技有限公司	申请人地址	江苏省苏州市高新区科创路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	苏州美天网络科技有限公司	当前权利人	苏州美天网络科技有限公司
发明人	曹峰
代理机构	北京远大卓悦知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	韩飞

摘要

本发明的公开了一种抗电磁干扰的功率器件包括：第一导电型的衬底，其底端配置有MOS功率器件的第一漏极，所述衬底上端配置有外延层；第二导电型的沟道；第二导电型的体区，其内设置有第一源极，所述相邻体区之间的上端配置有第一栅极；其中，所述沟道中至少存在两个未被所述体区覆盖的第一独立沟道和第二独立沟道，所述第一独立沟道上部配置有金属‑氧化物半导体场效应管，所述外延层上端绝缘配置有第一电阻，所述金属‑氧化物半导体场效应管的第二漏极和第二栅极同时与所述第一栅极连接，所述金属‑氧化物半导体场效应管的第二源极通过所述第一电阻与所述第一源极共接。本发明解决了功率器件易受电磁干扰的技术问题。

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