半导体存储装置及其操作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201710565205.8
IPC分类号：G11C16/14;G11C16/24;G11C16/30
申请日期：
2017-07-12
申请人：
爱思开海力士有限公司

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著录项信息

专利名称	半导体存储装置及其操作方法
申请号	CN201710565205.8	申请日期	2017-07-12
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-06-05	公开/公告号	CN108122584A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C16/14 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C16/00 可擦除可编程序只读存储器（G11C 14/00优先）〔5〕 G11C16/02 电可编程序的〔5〕 G11C16/06 辅助电路，例如，用于写入存储器的（一般入G11C 7/00）〔5〕 G11C16/10 编程或数据输入电路〔7〕 G11C16/14 用于电擦除的电路，例如擦除电压开关电路〔7〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;6;/;1;4;;;G;1;1;C;1;6;/;2;4;;;G;1;1;C;1;6;/;3;0查看分类表>
申请人	爱思开海力士有限公司	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	爱思开海力士有限公司	当前权利人	爱思开海力士有限公司
发明人	朴恩英
代理机构	北京三友知识产权代理有限公司	代理人	李辉;刘久亮

摘要

半导体存储装置及其操作方法。该半导体存储装置包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个存储块；电压发生器，所述电压发生器用于在擦除操作期间向从所述多个存储块当中选择的至少一个存储块的源极线施加擦除电压；读取和写入电路，所述读取和写入电路用于在所述擦除操作期间向至少一个存储块的位线施加初始设置电压；以及控制逻辑，所述控制逻辑用于控制所述电压发生器和所述读取和写入电路在向所述源极线施加所述擦除电压之前向所述位线施加所述初始设置电压。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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