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一种在钛基微零件中原位自生TiC的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110804507.2
  • IPC分类号:G01N1/36;G01N23/04;G01N23/20
  • 申请日期:
    2021-07-16
  • 申请人:
    四川大学
著录项信息
专利名称一种在钛基微零件中原位自生TiC的方法
申请号CN202110804507.2申请日期2021-07-16
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2021-11-02公开/公告号CN113588390A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01N1/36IPC分类号G;0;1;N;1;/;3;6;;;G;0;1;N;2;3;/;0;4;;;G;0;1;N;2;3;/;2;0查看分类表>
申请人四川大学申请人地址
四川省成都市武侯区一环路南一段24号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人四川大学当前权利人四川大学
发明人黄坤兰;阎相忠;杨屹;吴明霞;马力超
代理机构成都华烨专利代理事务所(普通合伙)代理人严刘英
摘要
本发明提供了一种在钛基微零件中原位自生TiC的方法,涉及复合材料技术领域,将钛基坯料4置于导电内套3中,石墨凸模2对钛基坯料4施加静载荷进行接触挤压,石墨凸模2、导电内套3和钛基坯料4连通第一电极6与第二电极1之间的电路,利用电流局部集中和接触电阻产生高温,使石墨凸模2中的碳物理渗入到钛基坯料4中,在高温作用下碳与钛基坯料4发生化学反应而原位合成TiC颗粒。通过控制升温速率、升温温度和保温时间,从而控制渗碳深度以及控制碳与钛基的反应过程,保证TiC的生成和分布厚度。解决了现有技术中在基体材料表面或基体中形成TiC工艺复杂的问题。

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