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在太阳能电池基片上形成扩散结的方法和设备

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN91110637.5
  • IPC分类号:--
  • 申请日期:
    1991-10-03
  • 申请人:
    无比太阳能公司
著录项信息
专利名称在太阳能电池基片上形成扩散结的方法和设备
申请号CN91110637.5申请日期1991-10-03
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日1992-05-27公开/公告号CN1061492
优先权暂无优先权号暂无
主分类号暂无IPC分类号暂无查看分类表>
申请人无比太阳能公司申请人地址
美国麻萨诸塞州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人肖特太阳公司当前权利人肖特太阳公司
发明人M·D·罗森布拉姆;J·I·汉诺卡
代理机构中国专利代理(香港)有限公司代理人齐曾度
摘要
硅太阳能电池是通过让基片经受扩散以形成P-N结的过程制造的,其中含有选定掺杂剂的液态掺杂剂源物质是喷涂在该基片的一侧,而后将基片在含氧环境中焙烧,所用的条件是计算出来的,以让该掺杂剂能扩散进入基片,从而在每一基片上形成浅薄的P-N结。

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