一种薄膜电路测试用金属保护膜的制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201310605876.4
IPC分类号：H01L21/3205;H01L21/31;H01L21/32
申请日期：
2013-11-25
申请人：
中国电子科技集团公司第四十一研究所

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专利名称	一种薄膜电路测试用金属保护膜的制备方法
申请号	CN201310605876.4	申请日期	2013-11-25
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2014-02-26	公开/公告号	CN103606520A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/3205 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/30 用H01L 21/20至H01L 21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L 21/28）〔2〕 H01L21/31 在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L 21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择〔2，5〕 H01L21/3205 非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层或电阻层；这些层的后处理（电极的制造入H01L 21/28）〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;2;0;5;;;H;0;1;L;2;1;/;3;1;;;H;0;1;L;2;1;/;3;2查看分类表>
申请人	中国电子科技集团公司第四十一研究所	申请人地址	山东省青岛市经济技术开发区香江路98号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国电子科技集团公司第四十一研究所	当前权利人	中国电子科技集团公司第四十一研究所
发明人	王进;马子腾;李鸽;孙毅
代理机构	济南舜源专利事务所有限公司	代理人	王连君

摘要

本发明公开了一种薄膜电路测试用金属保护膜的制备方法，其包括以下步骤：在镀有TaN/TiW/Au金属膜的陶瓷基片上涂覆一层光刻胶，再采用光刻的方法去除所述镀膜陶瓷基片非电路图形部分的光刻胶；将光刻处理的所述镀膜陶瓷基片进行带胶电镀金与电镀镍保护膜，再去除光刻胶；采用光刻的方法涂覆光刻胶保护电路图形刻蚀非图形部分Au/TiW层；再采用光刻的方法在所述镀膜陶瓷基片的图形部分及电路电阻部分涂覆一层光刻胶，刻蚀非光刻胶保护部分的电阻层，形成电路电阻；然后再去除光刻胶进行电阻阻值修正，最后腐蚀去掉电镀镍保护膜，得到薄膜电路。增加了电镀镍层及腐蚀镍层的加工步骤，通过电镀镍金属保护膜能够很好的保护金带线不被测试探针损伤，提高了薄膜电路加工的品质及成品率，降低了薄膜电路的制备成本。

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