具有埋层二氧化硅的压力传感器生产工艺

发明专利无效专利

申请号：
CN201110260568.3
IPC分类号：B81C1/00;G01L9/06
申请日期：
2011-09-06
申请人：
江苏奥力威传感高科股份有限公司

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著录项信息

专利名称	具有埋层二氧化硅的压力传感器生产工艺
申请号	CN201110260568.3	申请日期	2011-09-06
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2012-05-02	公开/公告号	CN102431953A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B81C1/00 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B8 微观结构技术；纳米技术 B81 微观结构技术〔7〕 B81C 专门适用于制造或处理微观结构装置或系统的方法或设备（制造微胶囊或微球入B01J13/02；专门适用于制造或处理压电器件、电致伸缩器件或磁致伸缩器件的方法或设备本身入H01L41/22）〔7〕 B81C1/00 在基片内或其上制造或处理的装置或系统（B81C 3/00优先）〔7〕	IPC分类号	B;8;1;C;1;/;0;0;;;G;0;1;L;9;/;0;6查看分类表>
申请人	江苏奥力威传感高科股份有限公司	申请人地址	江苏省扬州市邗江区邗江经济开发区祥园路8号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	江苏奥力威传感高科股份有限公司	当前权利人	江苏奥力威传感高科股份有限公司
发明人	孙海鑫;戴兆喜;韩民俊;乔康;程绍龙;范传东
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

具有埋层二氧化硅的压力传感器生产工艺，包括，首先选定待注入的硅片基体，然后对硅片基体进行高能氧离子注入，然后将注入高能氧离子的硅片基体进行高温退火，形成20-30nm厚度的二氧化硅埋层，然后对表层进行等离子体增强化学气相沉积SiN，形成SiN沉积表层，然后将具有SiN沉积表层的硅片基体进行反应离子RIE刻蚀引线孔；形成空气隔离的低温压敏电阻，然后对硅片基体的下部区域进行厚度上的减薄，同时对引线孔进行引线连接形成惠斯通电桥。本发明提供的新型的二氧化硅埋层的压力传感器生产工艺，在单晶硅材料中形成埋层二氧化硅，用以隔离作为测量电路的顶部硅层与体硅之间因温度升高而造成的漏电流，具有耐高温、低压、低功耗的优势。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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