嵌埋穿孔芯片的封装结构及其制法

发明专利无效专利

申请号：
CN201110106836.6
IPC分类号：H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60
申请日期：
2011-04-22
申请人：
欣兴电子股份有限公司;苏州群策科技有限公司

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著录项信息

专利名称	嵌埋穿孔芯片的封装结构及其制法
申请号	CN201110106836.6	申请日期	2011-04-22
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2012-10-24	公开/公告号	CN102751248A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/31 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/28 封装，例如密封层、涂覆物（H01L 23/552优先）〔2，5〕 H01L23/31 按配置特点进行区分的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;3;1;;;H;0;1;L;2;1;/;5;0;;;H;0;1;L;2;1;/;5;6;;;H;0;1;L;2;1;/;6;0查看分类表>
申请人	欣兴电子股份有限公司;苏州群策科技有限公司	申请人地址	中国台湾桃园县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	欣兴电子股份有限公司,苏州群策科技有限公司	当前权利人	欣兴电子股份有限公司,苏州群策科技有限公司
发明人	曾昭崇
代理机构	北京戈程知识产权代理有限公司	代理人	程伟;王锦阳

摘要

一种嵌埋穿孔芯片的封装结构及其制法，该嵌埋穿孔芯片的封装结构包括：介电层，具有第一及第二表面；穿孔芯片，嵌埋于该介电层中，且该穿孔芯片具有多个导电穿孔，并在一表面上具有电性连接各该导电穿孔且外露于该介电层的第二表面的电极垫；以及第一线路层，设于该介电层的第一表面上，且该第一线路层与该穿孔芯片的导电穿孔之间具有电性相连接的导电盲孔，以令高布线密度的芯片可设于该穿孔芯片的电极垫上，以整合高布线密度的半导体芯片。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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