信息记录载体、媒体制造方法、信息记录方法及再生方法

1.一种信息记录媒体，其特征为具备：
基板(1)；
记录层(4)，通过激光束的照射，因相变反应而进行信息的记录， 可多次改写；
第1层(13)为，其与上述记录层(4)接触，且锡的含有量为 23.3原子％以上32.3原子％以下，或含有过渡金属元素、氧及锡，或 含有过渡金属元素、硫磺、氧及锡，或含有锌、硫磺、氧及锡的第1 层(13)。
2.如权利要求1所述的信息记录媒体，其中上述基板(1)上设 有槽状的凹凸，并设有在该凹部及凸部双方记录有信息的记录磁道。
3.如权利要求1所述的信息记录媒体，其中上述记录层(4)至 少含有锗、锑、碲，上述锑的含有量为20原子％以下，上述锗的含有 量为25原子％以上。
4.如权利要求1所述的信息记录媒体，其中上述媒体是由光入 射侧，依次形成有基板(1)、上述第1层(13)、上述记录层(14)、 界面层(12)、干涉层(10)、吸收率控制层(7)、及热扩散层(8)。
5.如权利要求1所述的信息记录媒体，其中上述媒体是由光入 射侧，依次形成有基板(1)、干涉层(10)、界面层(12)、上述记 录层(4)、上述第1层(13)、吸收率控制层(7)、及热扩散层(8)。
6.如权利要求1所述的信息记录媒体，其中上述媒体是由光入 射侧，依次形成有基板(1)、上述第1层(13)、上述记录层(4)、 与上述记录层(4)接触且锡的含有量为23.3原子％以上32.3原子％ 以下，或含有过渡金属元素、氧及锡的第2层，或含有过渡金属元素、 硫磺、氧及锡的第2层，或含有锌、硫磺、氧及锡的第2层、吸收率 控制层(7)、及热扩散层(8)。
7.如权利要求1所述的信息记录媒体，其中对于上述记录层 (4)，在与上述第1层(13)相反侧的上述记录层接触的层中，也含 有Sn。
8.如权利要求1所述的信息记录媒体，其中上述第1层(13) 是由SnO2-ZnS系材料形成。
9.一种媒体的制造方法，其特征为具有：
于基板(1)上形成干涉层(10)的步骤；
于上述干涉层(10)上形成界面层(12)的步骤；
于上述界面层(12)上形成记录层(4)的步骤；
于上述记录层(4)上形成锡的含有量为23.3原子％以上32.3原 子％以下，或含有过渡金属元素、氧及锡的保护层，或含有过渡金属元 素、硫磺、氧及锡的保护层，或含有锌、硫磺、氧及锡的保护层的步 骤；
于上述保护层上形成吸收率控制层(7)的步骤；
于上述吸收率控制层(7)上形成热扩散层(8)的步骤。
10.如权利要求9所述的媒体的制造方法，其中上述干涉层(10) 是在多个室中形成。
11.如权利要求10所述的媒体的制造方法，其中在上述多个室以 高频放电制膜形成。
12.如权利要求9所述的媒体的制造方法，其中上述干涉层(10) 是以直流二极放电制膜形成。
13.如权利要求12所述的媒体的制造方法，其中上述干涉层(10) 是由2种材料构成的2种层所构成，上述2种层中的1种层是通过上 述直流二极放电制膜而形成。
14.如权利要求13所述的媒体的制造方法，其中上述2种层中的 另1种层是通过上述直流二极放电制膜而形成。

技术领域\n本发明涉及利用能量光线的照射而进行信息记录的信息记录媒 体、该媒体的制造方法、及其记录、再生方法，特别是涉及DVD-RAM、 DVD-RW等的相变光盘、光盘的制造方法、记录方法、再生方法。\n背景技术\n近年来，DVD-RAM、DVD-Video等的再生专用型光盘市场逐渐扩大。 此外、4.7GB DVD-RAM及4.7GB DVD-RW等可改写的DVD已投入于市场， 作为取代计算机备份媒体、VTR的影像记录媒体，急速地扩大其市场。\n以往，DVD-RAM的构造，例如在Proceedings of SPIE-The International Society for Optical Engineering，Volume3401， pp24-32，1998所记载的，为7层的构造。亦即如图10所示，由基板 1起，依序为第1干涉层2、第1界面层3、记录层4、第2界面层5、 第2干涉层6、吸收率控制层7、热扩散层(Al合金)8的7层构造。 此处，第1、第2干涉层是使用ZnS-SiO2系的材料。此外，第1、第2 界面层是使用比ZnS-SiO2熔点更高且化学性质稳定的Ge-N、Cr2O3等的 材料。记录层4则使用Ge2Sb2Te5等的材料。\n至目前为止，为找出热能、光学性质优异的干涉层材料，进行了 非常多的研究。例如于特开昭63-103453号中公开了具有包含ZnS及 ZnSe中的至少一种，及SiO2、GeO2、SnO2、TeO2、ZrO2、Al2O3、Y2O3、 Ta2O5中的至少一种的干涉层的光学式信息记录构件。根据该公报，通 过使干涉层含有10～30摩尔％的SiO2，可使结晶化所需的激光能量变 小。\n此外，特开平10-275361号公报中，公开了具有包含ZnS及ZnSe中的至少一种，及SiO2、GeO2、SnO2、TeO2、ZrO2、Al2O3、Y2O3、Ta2O5 中的至少一种的干涉层的光学式信息记录构件。根据该公报，包含于 上述干涉层的元素之中，若使Zn与构成上述氧化物的金属元素的全体 量为100原子％，在上述金属元素为30～65原子％时的场合，可得结晶 化所需的激光能量较小，且重复覆写特性、调制度、及光学设计时的 柔软性优异的光学式信息记录构件。\n而且，于特开平10-302308号中，记载了于ZnS、ZnSe、ZnTe、 PbS、PbTe等的结晶性硫族金属化合物中添加SiO2、GeO2、SnO2、In2O3等的氧化物，或Si3N4等的氮化物者，以作为接触记录层的保护层。\n发明的内容\n如以上的已知例中所公开的保护层材料虽然十分良好，但将该等 保护层材料使用于DVD-RAM，接触高熔点记录膜而配置时，若重复进 行了100次左右的信息记录，则会有上述干涉层中的原子溶入记录层， 反射率大幅度地降低，结果无法达成多次改写的问题。\n本发明的目的即在于达成多次的改写。\n发明人等认真研究的结果，对于接触记录层的层，于使用包含预 定比例的Sn的场合时，是与ZnS-SiO2相同的热传导率，喷溅率高， 且为透明，并对热为稳定性，即使以熔点为630℃以上的相变材料为 记录层时，仍显示具有良好的热稳定性。具体而言，通过使用以下的 信息记录媒体，可解决上述问题。\n做为接触记录层的层，可以下列达成：(1)锡的含量为23.3原子％ 以上32.3原子％以下，并含有过渡金属元素、氧及锡的第1层，或(2) 锡的含有量为23.3原子％以上32.3原子％以下，并含有过渡金属元素、 硫磺、氧及锡的第1层，或(3)锡的含有量为23.3原子％以上32.3原 子％以下，并含有锌、硫磺、氧及锡的第1层。此处，锡含有量为23.3 原子％至32.3原子％的场合，接触记录层的层当中，SnO2的含有量为 70～97摩尔％。\n通过使用接触如此材料的记录层的层(第1层)，即使进行10万次 的多次信息记录，也可抑制再生信号劣化于实用水平。此处，于接触 记录层的层当中，研究了锡含有量与可改写次数的关系。结果如图3 所示。图3为，图11所示的基板1上，是干涉层10、界面层12、记 录层4、保护层13、吸收率控制层7、热扩散层8的媒体构成，使用 SnO2-ZnS为保护层13的材料，变化其中Sn的量时的实验结果。由图 3可清楚得知，保护层的锡含有量为30原子％的场合，其可改写的次 数为最大，而锡含有量为23.3原子％至32.3原子％的场合时，其可改 写的次数为目标的10万次以上。此外，本中请说明书中，将干涉层， 及防止干涉层材料扩散至记录层的界面层的功能以1层来达到的场 合，称呼这1层为保护层。\n此处，图3中可清楚得知于图11的保护层添加SnO2的场合时，可 特别地使可改写次数提高。但于接触记录层的层当中，通过使用(1) 锡的含有量为23.3原子％以上32.3原子％以下，并含有过渡金属元素、 氧及锡的第1层，或(2)锡的含有量为23.3原子％以上32.3原子％以下， 并含有过渡金属元素、硫磺、氧及锡的第1层，或(3)锡的含有量为 23.3原子％以上32.3原子％以下，并含有锌、硫磺、氧及锡的第1层 中的任一层，可获得提升可改写次数的效果。即对于记录层，做为接 触光入射侧的记录层的层、或与光入射侧相反的记录层的层，使用上 述(1)至(3)中任一种的材料的层，都可获得提高可改写次数的效果。 此外，接触记录层的两侧的层，亦即于光入射侧及与其相反的层上， 使用上述材料时，其多次改写的劣化抑制效果为最大。\n这被认为是以下机构的作用所致。以下，对于接触记录层的层的 代表例，是根据SnO2-ZnS系的材料而说明。即使用SnO2做为保护层的 场合时，通过进行多次改写，SnO2中的低熔点的金属锡(熔点232℃) 会游离，而溶解于记录层中，致使记录层的性能劣化。同样地，使用 ZnS做为保护层的场合时，ZnS中的低熔点者的S(熔点113℃)会游离， 而溶解于记录层中，致使记录层的性能劣化。但若包含SnO2及ZnS时， Sn与S游离，这些原子彼此间再度结合，而产生高熔点的SnS或SnS2。 此外，此处是根据上述(3)的SnO2-ZnS系的材料而进行说明，但于上 述(1)的场合时其原理相同。在此，是做为含有过渡金属元素、氧及锡 的(1)的代表例，而说明了CrO-SnO系材料的场合。此时，过渡金属 Cr的离子价数，应具有3价、4价、6价等多数价数。最稳定的为3 价，但通常CrO中的Cr除3价以外，亦有4价、6价的离子状态。4 价、6价的Cr具有易于切断与氧的结合的倾向。即，CrO中的氧部份 是为活性状态。该活性氧与SnO中的游离Sn反应，而可固化游离Sn， 并抑制游离Sn溶入记录膜中。此外，含有过渡金属元素、硫磺、氧及 锡的(2)，其原理也相同。(2)的代表例，如TaS-SnO系材料的场合， 通过与CrO时相同的原理，使TaS中的活性S固定SnO中的游离Sn， 可产生熔点较高的SnS。因此，可抑制游离Sn溶入记录膜中。\n此外，作为接触记录层的代表，可举出Cr2O3-SnO2、SnO2-ZnS系的 材料，SnO2-ZnS系为可承受最多次改写的效果。\n此外，已知技术中所记载的特开昭63-103453号、特开平 10-302308号中，并未具体记载Sn的添加量。特开平10-275361号中， 于0012栏中记载了保护层由ZnS及ZnSe的至少一种，及选自SiO2、 GeO2、SnO2、TeO2、ZrO2、Al2O3、Y2O3、Ta2O5的氧化物中至少一种所构 成，于包含于该保护层的元素中，若以Zn与构成该氧化物的金属元素 的全体量为100原子％，则该氧化元素为35～65原子％。于该氧化元素 为SnO2的场合时，Sn的含有量为上述数值的1/3，为11.7～21.7原 子％。因此，其含有量比本发明的少，该已知例无法达成如本发明的多 次改写。(2)加上上述(1)，记录层含有锗、锑、碲，其中锗的含有量 为25原子％以上，锑的原子％为20原子％以下为佳。该构成是具有记录 层材料高熔点的意义，结果可得到再生信号振幅大的信号。其是依照 以下的机构。\n于相变记录中，基本上使「0」与「1」的信息对应结晶与非晶质 而进行记录。此外，由于结晶与非晶质的折射率相异，因此为使结晶 变化的部份与非晶质变化的部份的反射率的差为最大，而设计各层的 折射率及膜厚。在该结晶化部份与非晶质化部份照射激光，并再生反 射光，而可检测出记录的「0」与「1」。此外，在记录层材料的结晶- 非晶质间的折射率变化大的情形时，由于结晶部与非晶质部的反射率 变化也变大，因此可使再生信号振幅变大。\n此外，为于预定位置成为非晶质，通过照射较高能量的激光而加 热以使记录层的温度成为记录层材料熔点以上，而为在预定位置成为 结晶，则通过照射较低能量的激光而加热以使记录层的温度成为记录 层材料熔点以下的结晶化温度附近。如此，可使非晶质状态与结晶状 态为可逆变化。因此，记录层周围的最高到达温度会与记录膜的熔点 成比例。\n以下列出代表性的相变记录材料的熔点，以做为参考例。\nGe50Te50：710℃\nGe38.1Sb9.5Te52.4：680℃\nGe33.3Sb13.3Te53.4：660℃\nGe25Sb20Te55：630℃\nGe22.2Sb22.2Te55.6：620℃\nSb40Te60：620℃\nSb70Te30：540℃\n如此，于目前所知的相变记录材料中，熔点最高的为Ge50Te50。此 外，该材料的特征为具有结晶与非晶质的折射率差非常大的优点。此 外，Sb40Te60的熔点低，具有信息记录时对保护层的热附加较小的优点， 但有结晶与非晶质的折射率差小的问题。此外，混合该二化合物的组 成，亦即Ge22.2Sb22.2Te55.6、Ge25Sb20Te55、Ge33.3Sb13.3Te53.4、Ge38.1Sb9.5Te52.4具有Ge50Te50与Sb40Te60的中间性质，Ge50Te50的含有量较多者具有折射 率变化大，熔点高的倾向。\n4.7GB DVD-RAM其折射率变化应较大，因此使用Ge25Sb20Te55～ Ge38.1Sb9.5Te52.4附近的组成。结果，记录层材料的熔点高至630～680℃， 即记录层附近的温度也变高，因此容易发生干涉层材料扩散至记录层 等的问题。结果，以往于记录层与干涉层间必须有界面层。\n(3)将已知的干涉层、2层界面层做为上述(1)所记载的材料的1 层保护层。因此图11至图13中的任一构成都可。即，使记录层的上 下都为保护层，或使记录层上下任一方为保护层即可。具体上，如图 11所示，基板1/干涉层10/界面层12/记录层4/保护层13/吸收率控 制层7/热扩散层8的构成，如图12所示，基板1/保护层13/记录层 4/保护层13/吸收率控制层7/热扩散层8的构成，如图13所示，基板 1/保护层13/记录层4/界面层12/干涉层10/吸收率控制层7/热扩散 层8的构成。如此，通过使用(1)所记载的材料，即使使用熔点为630 ℃以上的高熔点相变记录材料，由于保护层材料难以扩散至记录层， 因此有时没有使用界面层的必要。因此，不使用界面层的场合时，也 可减少层数，使媒体容易制造。\n(4)若为于基板上设有槽状的凹凸，于该凹部(グル一ブ)及凸部 (ランド)双方都设有记录信息用的记录轨，则更能发挥本发明的功 效。\n于凹部平面方式中，因交调作用取消的原因，使槽的深度大约为 λ/7以上λ/5以下(λ为激光波长)。如此，激光光于槽中更易折射， 因此反射光降低至7成，结果再生信号振幅亦降低至7成。因此，为 得到高信号振幅，不得不使记录层材料的熔点变高。\n但通过使用上述(1)记载的接触记录膜的层，即使于凹部凸部记录 方式的媒体中使用例如熔点为630℃以上的高熔点相变记录材料，不 仅可得到高信号振幅，还可进行多次改写。\n(5)使用上述(1)记载的接触记录膜的层，接触记录层的上下层都 含有Sn。由此，更具有媒体保存寿命变长的效果。以下将详细说明。 在此为求简单，对图11中构成的信息记录媒体进行信息记录，并以加 速试验推断记录信息的保存寿命。此时，发明者得知在使接触记录层 的界面层或保护层中含有Sn时，保存寿命的长期化与Sn量成比例而 的现象。原因虽不明确，但在接触记录层的界面层中未添加Sn时，以 加速试验推断保存寿命为1年左右，而在界面层中添加Sn时(例如30 原子％)，则推断保存寿命为5年左右。上述实验是在记录层的光入射 侧的界面层中添加Sn的场合，且即使在记录层的光入射侧相反的侧的 保护层中添加Sn时(30原子％)，推断保存寿命也为5年左右。此外， 若在界面层、保护层双方都添加Sn时(皆为30原子％)，推断保存寿命 成为10年以上。此外，若在界面层、保护层双方皆添加Sn的量为10 原子％，则推断保存寿命为5年左右。由以上可知，在记录层的光入射 侧的层(界面层)及与记录层的光入射侧相反的层(保护层)双方添加 Sn时，最具有使保存寿命长期化的效果，此外，于本发明的范围内， Sn的添加量为越多越好。\n(6)通过上述(1)～(5)的媒体制造的方法，或使用该媒体以记录或 再生的方法，可达成上述目的。\n此外，本发明中对于上述信息记录媒体是以相变光盘、或仅以光 盘来表示，但只要为以能量束照射而产生热，因该热造成原子排列的 变化，因此而进行信息记录的信息记录媒体，即可适用本发明，因此 并不特定信息记录媒体的形状，光卡等圆盘状信息记录媒体以外的信 息记录媒体也可适用。\n此外，本说明书中对上述能量束是以激光束或仅以激光或光来表 现，但除上述外，只要能在信息记录媒体上产生热能的能量束即可获 致其效果，因而使用电子束等能量束的场合，也可得到本发明的效果。 此外，本发明虽为用于红色激光(波长645～660nm)的信息记录媒体 的发明，但对于非激光波长的，如青色激光、紫外线激光等波长较短 的激光进行记录的信息记录媒体也可发挥其效果。\n此外，本发明中虽以基板配置于记录层的光入射侧为前提，但在 将基板配置于与记录层的光入射侧相反侧，在光入射侧配置比基板薄 的保护板等保护材料，也不会失去本发明的效果。\n附图的简单说明\n图1是显示已知媒体构造与性能的关系图。\n图2是显示已知媒体构造及本发明的媒体构造与性能的关系图。\n图3是显示本发明一实施例的图。\n图4是显示已知的信息记录媒体一制造例的图。\n图5是显示本发明的信息记录媒体一制造例的图。\n图6是显示本发明的信息记录媒体一制造例的图。\n图7是显示本发明的信息记录媒体一制造例的图。\n图8是显示本发明的一实施例所使用的信息记录媒体的方块图。\n图9是显示本发明的一实施例所使用的喷溅装置的图。\n图10是显示已知的DVD-RAM媒体的图。\n图11是显示本发明的一例的媒体的图。\n图12是显示本发明的一例的媒体的图。\n图13是显示本发明的一例的媒体的图。\n图14是显示本发明的一例的媒体的图。\n组件符号说明\n8-1：光盘\n8-2：马达\n8-3：光读取头\n8-4：前置放大器电路\n8-6：记录波形产生电路\n8-7：激光驱动电路\n8-8：8-16调制器\n8-9：L/G伺服电路\n8-10：8-16解调器\n发明的实施方式\n图1及图2是为了比较已知例与本发明的信息记录媒体所用的比 较例与实施例。以下依序详细说明各实施例。此外，在测定各实施例 所示的信息记录媒体的各个性能时，使用后叙的信息记录装置(图8)， 来测定偏差(改写10次后)、调制度、记录能量、可改写次数。此外， 记录媒体是采用凹凸记录。因此，在此是显示于凸部及凹部上记录信 息时的偏差、调制度、记录能量、可改写次数的平均值。此外，各性 能的目标值则如下所列。\n偏差：9％以下\n调制度：40％以上\n记录能量：13mW以下\n可改写次数：10万次以上\n<比较例1>\n以下显示比较例1的积层构造。在配置于记录层的光入射侧的基 板上，以喷溅法依序积层为，124nm的(ZnS)80(SiO2)20做为第1干涉 层，3nm的Cr2O3做为第1界面层，8nm的Ge28Sb18Te54做为记录层，3 nm的Cr2O3做为第2界面层，30nm的(ZnS)80(SiO2)20做为第2干涉层， 33nm的Cr90(Cr2O3)10做为吸收率控制层，50nm的Al99Ti1做为热扩散 层，并于其上配设有紫外线硬化树脂。使如此制作成的2片信息记录 媒体的紫外线硬化树脂侧相向，且以黏合剂粘贴后，使用使记录层初 始化(结晶化)的装置，进行全面初始化。\n如此制作的信息记录媒体其各个性能显示于图1。偏差、调制度、 记录能量、可改写次数皆具有良好的值。如此，即使使用记录膜的熔 点为630℃以上的相变记录层材料的场合，当在记录层的两侧设置第1 界面层及第2界面层时，仍可得到良好的信息记录媒体。比较例1的 问题点，在于积层数有7层之多，因此如<信息记录媒体的制造例1 >所示，在使用价格低的喷溅装置时，无法确保足够的生产性。\n<比较例2>\n以下显示比较例2的积层构造。即在配置于记录层的光入射侧的 基板上，以喷溅法依序积层为，124nm的(ZnS)80(SiO2)20做为第1干 涉层，3nm的Ge3N4做为第1界面层，8nm的Ge28Sb18Te54做为记录层， 3nm的Ge3N4做为第2界面层，30nm的(ZnS)80(SiO2)20做为第2干涉 层，25nm的Ge80Cr20做为吸收率控制层，50nm的Al99Ti1做为热扩散 层，并于其上配设有紫外线硬化树脂。使如此制作成的2片信息记录 媒体的紫外线硬化树脂侧相向，且以黏合剂粘贴后，使用使记录层初 始化(结晶化)的装置，进行全面初始化。\n如此制作的信息记录媒体其各个性能显示于图1。偏差、调制度、 记录能量、可改写次数均具有良好的值。如此，即使使用记录膜的熔 点为630℃以上的相变记录层材料的场合，当在记录层的两侧设置第1 界面层及第2界面层时，也可得到良好的信息记录媒体。比较例2的 问题点与比较例1相同，由于积层数有7层之多，因此在使用价格低 的喷溅装置时，无法确保足够的生产性。\n<比较例3>\n以下显示比较例3的积层构造。即在配置于记录层的光入射侧的 基板上，以喷溅法依序积层为，124nm的(ZnS)80(SiO2)20做为第1干 涉层，3nm的Cr2O3做为第1界面层，8nm的Ge28Sb18Te54做为记录层， 3nm的Cr2O3做为第2界面层，33nm的(ZnS)80(SiO2)20做为第2干涉 层，33nm的Cr90(Cr2O3)10做为吸收率控制层，50nm的Al99Ti1做为热 扩散层，并于其上配设有紫外线硬化树脂。使如此制作成的2片信息 记录媒体的紫外线硬化树脂侧相向，且以黏合剂粘贴后，使用使记录 层初始化(结晶化)的装置，进行全面初始化。\n如此制作的信息记录媒体其各个性能显示于图1。调制度、记录能 量虽具有良好的值，但偏差、可改写次数都无法达到目标值。这是由 于使用记录膜的熔点为630℃以上的相变记录层材料的原因。即，即 使设有第1界面层，由于数次重复信息记录，第2干涉层中的S会溶 入记录层中，慢慢地使记录层的结晶化速度变慢，同时会引起反射率 降低及信号振幅降低，因此使偏差及可改写次数劣化。\n<比较例4>\n以下显示比较例4的积层构造。即在配置于记录层的光入射侧的 基板上，以喷溅法依序积层为，124nm的(ZnS)80(SiO2)20做为第1干 涉层，3nm的Cr2O3做为第1界面层，8nm的Ge28Sb18Te54做为记录层， 33nm的Cr2O3做为第2界面层，33nm的Cr90(Cr2O3)10做为吸收率控制 层，50nm的Al99Ti1做为热扩散层，并于其上配设有紫外线硬化树脂。 使如此制作成的2片信息记录媒体的紫外线硬化树脂侧相向，且以黏 合剂粘贴后，使用使记录层初始化(结晶化)的装置，进行全面初始化。\n如此制作的信息记录媒体其各个性能显示于图1。偏差、调制度、 记录能量、可改写次数都无法达到目标值。这是因为第2界面层所使 用的Cr2O3具有二个问题点。即，热传导率过高，及光吸收过大。热传 导率过高，以通常的记录能量则记录层的温度无法充分上升，因此不 得不提高记录能量，此外，光吸收过大，无法充分利用记录层与吸收 率干涉层间的光学干涉效果，而引起调制度的降低，结果发生记录层 上升，可改写次数较少的问题。此外，比较例4会产生另一个问题。 即，与通常使用于界面层的高熔点氧化物、氮化物与使用于干涉层的 ZnS-SiO2系材料相比，喷溅率仅为几分之一左右，且为求光学上的最 适设计，必须使第2界面层的膜厚为通常的10倍左右，因此使喷溅法 所需的时间变得特别长。\n<比较例5>\n以下显示比较例5的积层构造。即在配置于记录层的光入射侧的 基板上，以喷溅法依序积层为，124nm的(ZnS)80(SiO2)20做为第1干 涉层，3nm的Cr2O3做为第1界面层，8nm的Ge28Sb18Te54做为记录层， 29nm的ZnS做为保护层，33nm的Cr90(Cr2O3)10做为吸收率控制层， 50nm的Al99Ti1做为热扩散层，并于其上配设有紫外线硬化树脂。使 如此制作成的2片信息记录媒体的紫外线硬化树脂侧相向，且以黏合 剂粘贴后，使用使记录层初始化(结晶化)的装置，进行全面初始化。\n如此制作的信息记录媒体其各个性能显示于图2。调制度、记录能 量虽具有良好的值，但偏差、可改写次数都无法达到目标值。这是使 用记录膜的熔点为630℃以上的相变记录层材料的原因。即，即使设 有第1界面层，由于数次重复信息记录，保护层中的S会溶入记录层 中，慢慢地使记录层的结晶化速度变慢，同时会引起反射率降低及信 号振幅降低，因此使偏差及可改写次数劣化。\n<比较例6>\n以下显示比较例6的积层构造。在于配置于记录层的光入射侧的 基板上，以喷溅法依序积层为，124nm的(ZnS)80(SiO2)20做为第1干 涉层，3nm的Cr2O3做为第1界面层，8nm的Ge28Sb18Te54做为记录层， 33nm的SnO2做为保护层，33nm的Cr90(Cr2O3)10做为吸收率控制层， 50nm的Al99Ti1做为热扩散层，并于其上配设有紫外线硬化树脂。使 如此制作成的2片信息记录媒体的紫外线硬化树脂侧相向，且以黏合 剂粘贴后，使用使记录层初始化(结晶化)的装置，进行全面初始化。\n如此制作的信息记录媒体其各个性能显示于图2。调制度、记录能 量虽具有良好的值，但偏差、可改写次数都无法达到目标值。这是使 用记录膜的熔点为630℃以上的相变记录层材料的原因。即，即使设 有第1界面层，由于数次重复信息记录，保护层中的Sn会溶入记录层 中，慢慢地使记录层的结晶化速度变慢，同时会引起反射率降低及信 号振幅降低，因而使偏差及可改写次数劣化。\n<实施例1>\n图14显示实施例1的积层构造。即在配置于记录层的光入射侧的 基板1上，以喷溅法依序积层为，124nm的(ZnS)80(SiO2)20做为第1 干涉层10，3nm的Cr2O3做为第1界面层12，8nm的Ge28Sb18Te54做为 记录层4，32nm的(SnO2)90(Cr2O3)10做为保护层13，33nm的Cr90(Cr2O3)10做为吸收率控制层7，50nm的Al99Ti1做为热扩散层8，并于其上配设 有紫外线硬化树脂14。使如此制作成的2片信息记录媒体的紫外线硬 化树脂侧相向，且以黏合剂粘贴后，使用使记录层初始化(结晶化)的 装置，进行全面初始化。\n如此制作的信息记录媒体其各个性能显示于图2。偏差、调制度、 记录能量、可改写次数都具有良好的值。这样，即使使用记录膜的熔 点为630℃以上的相变记录层材料，当记录层的两侧设置有第1界面 层及本发明的保护层时，也可得到良好的信息记录媒体。此外，在比 较例1及2虽然也得到同样的良好结果，但比较例1、2的问题点，因 喷溅的积层数有7层之多，因此如<信息记录媒体的制造例1>所示， 在使用价格低的喷溅装置时，无法确保足够的生产性。相对于此，实 施例1中喷溅的积层数减至6层，因此生产效率可飞跃地提升。\n<实施例2>\n图14显示实施例2的积层构造。即在配置于记录层的光入射侧的 基板1上，以喷溅法依序积层为，124nm的(ZnS)80(SiO2)20做为第1 干涉层10，3nm的Cr2O3做为第1界面层12，8nm的Ge28Sb18Te54做为 记录层4，32nm的(SnO2)80(ZnS)20做为保护层13，33nm的Cr90(Cr2O3)10做为吸收率控制层7，50nm的Al99Ti1做为热扩散层8，并于其上配设 有紫外线硬化树脂14。使如此制作成的2片信息记录媒体的紫外线硬 化树脂侧相向，且以黏合剂粘贴后，使用使记录层初始化(结晶化)的 装置，进行全面初始化。\n如此制作的信息记录媒体其各个性能显示于图2。偏差、调制度、 记录能量、可改写次数都具有良好的值。如此，即使使用记录膜的熔 点为630℃以上的相变记录层材料，当在记录层的两侧设置第1界面 层及本发明的保护层时，也可得到良好的信息记录媒体。此外，在比 较例1及2虽然也可得到良好的结果，但比较例1、2的问题点，因喷 溅的积层数有7层之多，因此如<信息记录媒体的制造例1>所示， 当使用价格低的喷溅装置时，无法确保足够的生产性。相对于此，实 施例1中喷溅的积层数减至6层，因此如<信息记录媒体的制造方法 2>所示，生产效率可飞跃地提高。此外，在实施例1中以12.6mW 的记录能量为达成目标，但该值稍高。此外，相对于此，实施例2于 偏差、调制度、记录能量、可改写次数都显示出较实施例1良好的值。\n如以上的实施例所示，添加硫化物、过渡金属氧化物至保护层的 氧化锡中，可获得良好的性能。\n<实施例3>\n(喷溅装置)\n生产本发明的信息记录媒体的喷溅装置，较佳为具有多个室，于 各室中设置有1个喷溅目标，信息记录媒体用的基板依序于各室间被 搬送的所谓的枚叶式喷溅装置。\n此处，以图9说明本发明的信息记录媒体制造用的喷溅装置的构 造。本喷溅装置共具备9个室。其中，在制膜工序中所使用的处理室 具备第1室至第8室的8个室。此外，还具备1个装载锁定室，可将 基板搬送至喷溅装置并将制膜后的信息记录媒体由喷溅装置搬出。此 外，本喷溅装置中设有与室数相同数量的运载器，运载器以其中心为 轴于箭头方向旋转，可将基板搬送到各室。\n此外，各处理室具备控制最适合形成各个层的喷溅电源、多个喷 溅气体管路、用于控制喷溅气体流量的质量流控制器。将各基板安装 于各个室后，再将合适的喷溅气体导入于各室内，之后，于各室中进 行喷溅。用于搬送各基板的运载器具备基板旋转用的小型真空马达。 该马达的电源由于无法使用电线，因此在各运载器安装于各室时，同 时需考虑到从与各室接触的部份供给电源。通过该基板的旋转，在基 板上制膜的各层的组成均一性、膜厚均一性都可大幅提升。此外，本 喷溅装置中为防止喷溅时基板过热，在基板与运载器间导入了基板冷 却用的He气，可防止一般基板因过热而变形的情形。\n(信息记录媒体的制造例1)\n通常的喷溅制程中，因制膜时所发生的辉光放电，及喷溅产生的 飞溅粒子冲撞基板，使基板被加热。一般是以上述方法来抑制基板过 热造成基板变形，但在生产比较例1的构造时，会产生基板变形造成 无法将其搬入喷溅装置内部的问题。为解决此问题，设定在各室中喷 溅后的基板冷却时间，以防止基板过热。以下详细说明。\n磁道距为0.615μm，槽深度为65nm，在用于在凸部及凹部双方 记录信息的地址信息，设置于各区段前头部的厚度为0.6界面层的凹 凸记录用聚碳酸酯制的基板上，制造有以下各薄膜，第1干涉层： (ZnS)80(SiO2)20(124nm)，第1界面层：Cr2O3(3nm)，记录层3： Ge28Sb18Te54(8nm)，第2界面层：Cr2O3(3nm)，第2干涉层： (ZnS)20(SiO2)20(30nm)，吸收率控制层：Cr90(Cr2O3)10(30nm)，热扩 散层：Al99Ti1(50nm)。此时使用的喷溅装置是先前所说明的具有8个 处理室的，各层制膜的喷溅条件显示于图4。\n生产上述构造的信息记录媒体的场合，由于第1干涉层 (ZnS)80(SiO2)20厚达124nm，因此该层的制膜时间长，结果运载器开 始搬送基板的时间延迟，以致每1层的生产时间(即循环时间)变长。 因此，将该层分开于2个室制作一半厚度(62nm)的第1干涉层为良策。 由此，第1及第2室内的制膜时间可短缩至4秒。但通常若喷溅时间 长，则喷溅时所发生的热会造成基板变形，因此不得不设定上述冷却 基板的第1室的冷却时间为6秒。结果，每1层的生产时间(即循环时 间)为，喷溅时间(4秒)加冷却时间(6秒)加搬送时间(1.5秒)，共11.5 秒。\n(信息记录媒体的制造例2)\n磁道距为0.615μm，槽深度为65nm，在用于在凸部及凹部双方 记录信息的地址信息，设置于各区段前头部的厚度为0.6界面层的凹 凸记录用聚碳酸酯制基板上，制造有以下各薄膜，第1干涉层： (ZnS)80(SiO2)20(123nm)，第1界面层：Cr2O3(3nm)，记录层3： Ge28Sb18Te54(8nm)，保护层：(SnO2)90(ZnS)10(33nm)，吸收率控制层： Cr90(Cr2O3)10(30nm)，热扩散层：Al99Ti1(50nm)。此时使用的喷溅装 置是先前所说明的具有8个处理室的，各层制膜的喷溅条件显示于图 5。\n生产上述构造的信息记录媒体，与图4所示的7层构造的制膜相 比，因积层数为6层而少了1层，因此可使制造第1干涉层 (ZnS)80(SiO2)20的室数为3室。如此可减少第1、第2及第3室的制膜 时间至2.6秒。此外，第1、第2室的喷溅时间可缩短，因此可将基 板冷却时间减少至2秒。结果，每1层的生产时间(即循环时间)为喷 溅时间(2.6秒)加冷却时间(2秒)加搬送时间(1.5秒)，共为6.1秒， 与(信息记录媒体的制造例1)相比，可减少循环时间约一半。\n(信息记录媒体的制造例3)\n磁道距为0.615μm，槽深度为65nm，在用于在凸部及凹部双方 记录信息的地址信息，设置于各区段前头部的厚度为0.6界面层的凹 凸记录用聚碳酸酯制基板上，制造有以下各薄膜，第3干涉层： (SnO2)95(Sb2O3)5(76nm)，第1干涉层：(ZnS)80(SiO2)20(47nm)，第1 界面层：Cr2O3(3nm)，记录层3：Ge28Sb18Te54(8nm)，第2界面层：Cr2O3(3 nm)，第2干涉层：(ZnS)80(SiO2)20(30nm)，吸收率控制层： Cr90(Cr2O3)10(30nm)，热扩散层：Al99Ti1(50nm)。此时使用的喷溅装 置是先前所说明的具有8个处理室的，各层制膜的喷溅条件显示于图 6。\n生产上述构造的信息记录媒体的场合，与图5所示相比，虽积层 数增加为8层，但最终可使循环时间减少。该构造的特征是在于第1 干涉层与基板间，新设置了第3干涉层。发明者们通过以制造第1干 涉层时通常所使用的RF喷溅电源做为DC电源，可将辉光放电限制于 喷溅目标的近旁，因此可防止基板的过度加热。此外，通过使用DC喷 溅电源，不仅可增加喷溅能量，还可提高喷溅率。由于喷溅率的提高， 则可缩短喷溅时间，结果可防止基板的过度加热。\n因此，着眼于制造第3干涉层用的喷溅目标，而研究可进行DC喷 溅的透明材料，结果添加一定比率的Sb2O3于SnO2，喷溅目标的电阻急 剧地降低，结果可进行DC喷溅，且其显示具有做为光盘用干涉层的优 良性能。\n如图6所示的结果，虽积层数增加为8层，但第1、第2室的制膜 时间可缩短至3.0秒。此外，第1、第2室的喷溅时间可缩短，因此 可将基板冷却时间减少至4.2秒。结果，每1层的生产时间(即循环时 间)为喷溅时间(3.0秒)加冷却时间(4.2秒)加搬送时间(1.5秒)，共 为8.7秒，与(信息记录媒体的制造例1)相比，可减少循环时间至70％ 左右。\n(信息记录媒体的制造例4)\n与图6的场合相同，即使在对于使用图5所示的本发明的保护层 的情形时，也适用于第3干涉层，调查其循环时间降低效果，其结果 显示于图7。\n磁道距为0.615μm，槽深度为65nm，在用于在凸部及凹部双方 记录信息的地址信息，设置于各区段前头部的厚度为0.6界面层的平 面凹部记录用聚碳酸酯制基板上，制造有以下各薄膜，第3干涉层： (SnO2)95(Sb2O3)5(94nm)，第1干涉层：(ZnS)80(SiO2)20(30nm)，第1 界面层：Cr2O3(3nm)，记录层3：Ge28Sb18Te54(8nm)，保护层： (SnO2)90(ZnS)10(33nm)，吸收率控制层：Cr90(Cr2O3)10(30nm)，热扩散 层：Al99Ti1(50nm)。此时使用的喷溅装置为先前所说明的具有8个 处理室的，各层制膜的喷溅条件显示于图7。\n如图7所示的结果，第1、第2室的制膜时间可缩短至1.9秒。此 外，第1、第2室的喷溅时间可缩短，因此可将基板冷却时间减少至 1.5秒。结果，每1层的生产时间(即循环时间)为喷溅时间(1.9秒) 加冷却时间(1.5秒)加搬送时间(1.5秒)，共为4.9秒，与(信息记录 媒体的制造例1)相比，可减少循环时间至40％左右。\n<实施例4>\n以下以图8说明本发明的信息记录媒体、再生及装置的动作。此 外，进行记录再生时的马达控制方法，是采用在每一进行记录再生区 改变磁盘旋转数的ZCLV(Zone Constant Linear Velocity)方式。磁 盘线速度大约为8.2m/秒。\n从记录装置外部而来的信息是以8位为1单位，传送至8-16调制 器8-8。于信息记录媒体(以下称光盘)8-1上记录信息时，使用将信息 8位变换为16位的调制方式，即所谓8-16调制方式而进行记录。该 调制方式是于媒体上进行对应8位信息的3T～14T的标记长的信息记 录。图中8-16调制器8-8是进行该调制。此外，此处T是表示信息记 录时的时钟周期，此处为17.1ns。\n由8-16调制器8-8所变换的3T～14T的数字信号是被传送至记录 波产生电路8-6，高能量脉冲的宽幅约定为T/2，高能量位准激光照射 期间进行宽幅约T/2的低能量位准的激光照射，在上述一连串的高能 量脉冲期间会产生进行有中间能量位准激光照射的多脉冲记录波形。 此时，为形成记录标记，使高能量位准为10.0mW，记录标记可消除 的中间能量位准为4.0mW。此外，上述记录波形产生电路8-6内，使 3T～14T的信号在时间序列交互地对应「0」与「1」，为「0」时是照 射中间能量位准的激光能量，为「1」时则照射包含高能量位准脉冲的 一连串的高能量脉冲列。此时，光盘1上照射有中间能量位准的激光 的部份会成为结晶(空间部)，照射有包含高能量位准的脉冲的一连串 的高能量脉冲列的激光部份会成为非结晶(标记部)。此外，在上述记 录波形产生电路8-6内，当形成用于形成标记部的包含高能量位准脉 冲的一连串的高能量脉冲列时，具有根据标记部前后的空间长，而相 应改变多脉冲波形前头脉冲宽幅及最后脉冲宽幅的方式(适应型记录 波形控制)的多脉冲波形表，由此而产生可极力地排除于标记间所产生 的标记间热干涉的影响的多脉冲记录波形。\n记录波形产生电路8-6所产生的记录波形是被激光驱动电路8-7 传送的，激光驱动电路8-7即根据该记录波形，使光读取头8-3内的 半导体激光发光。\n本记录装置所搭载的光读取头8-3中使用了光波长655nm的半导 体激光做为信息记录用的激光束。此外，以透镜NA 0.6的对物镜将该 激光光聚集至上述光盘8-1的记录层上，照射对应上述记录波形的激 光的激光束，而进行信息记录。\n一般而言，激光波长λ的激光以透镜开口数NA进行集光时，激光 束的投射径大约为0.9×λ/NA。因此，于上述条件的场合，激光束的 投射径大约为0.98微米。此时，激光束偏光设为圆偏光。\n此外，本记录装置是对应于凹部及凸部(凹部间的区域)双方记录 信息的方式(所谓的凹凸记录方式)。本记录装置是通过L/G伺服电路 8-9，可任意选择对应凸部及凹部的追踪。记录信息的再生亦使用上述 光读取头8-3而进行。照射激光束至记录的标记上，并检测出标记及 标记外的部份所反射的光，可得再生信号。该再生信号的振幅以前置 放大器电路8-4放大，并传送至8-16解调器8-10。在8-16解调器8-10 将每16位变换为8位信息。通过以上的动作，结束所记录的标记的再 生。以上述条件于上述光盘8-1进行记录的场合时，最短标记3T标记 的标记长大约为0.42μm，最长标记14T标记的标记长大约为1.96μm。\n<实施例5>\n以下说明本发明的信息记录媒体所使用的各层的最适组成及最适 膜厚。\n(第3干涉层)\n通常，存在于第3干涉层的光入射侧的物质为聚碳酸酯等的塑料 基板，或紫外线硬化树脂等有机物。此外，其折射率是1.4至1.6左 右。在上述有机物与第3干涉层间为了使其有效反射，第3干涉层的 折射率以2.0以上为较佳。第3干涉层是光学上折射率为存在于光入 射侧的物质(本实施例为相当于基板)如上所述，在不发生光吸收的范 围内以曲折率较大者为佳。具体而言，在曲折率n为2.0～3.0之间， 不吸收光的材料，若考虑量产性，则以包含SnO2、Sb2O3或Bi2O3为佳。 这些组成比若在含有90～97摩尔％时，因可进行DC喷溅，因此最适合 进行量产。SnO2的量为97摩尔％以上时，会有电阻无法变得足够低的 问题，而SnO2的量为90摩尔％以下时，则会有吸收率增加，热稳定性 降低的问题。\n(第1干涉层)\n若在基板与第1干涉层间不存在第3干涉层的情况下，则存在于 第1干涉层的光入射侧的物质为聚碳酸酯等的塑料基板，或紫外线硬 化树脂等有机物。此外，其折射率是1.4至1.6左右。在上述有机物 与第1干涉层间为了使其有效反射，第1干涉层的折射率以2.0以上 为较佳。第3干涉层是光学上折射率为存在于光入射侧的物质(本实施 例为相当于基板)为以上所述，在不发生光吸收的范围内以曲折率较大 者为佳。具体而言，为曲折率n为2.0～3.0之间，不吸收光的材料， 特别是含有金属氧化物、碳化物、氮化物、硫化物、硒化物者较佳。 此外，热传导率至少为2W/mk以下为较佳。特别是ZnS-SiO2系的化 合物因热传导率低，最适合做为第1干涉层。此外，为有效利用基板 与记录层间的光学干涉，在激光的波长为650nm左右的场合时，第1 干涉层的最适膜厚为110nm～135nm。\n(第1界面层)\n第1界面层的材料，是易成为不定比化合物的过渡金属元素的氧 化物、氮化物或这些元素的混合物时特别优。此外，Si、Ge等的半导 体氧化物、氮化物也容易成为不定比化合物，因此也很适合。具体而 言Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Hf、Ta、 W、La、Ce等的氧化物、氮化物或这些元素的混合物比较合适。特别 是Cr-O系材料、Co2O3、CoO等的Co-O系材料的氧化物、Ta-N系材料、 Al-N系材料、Si-N系材料、Al-Si-N系材料(例如AlSiN2)、Ge-N系材 料等的氮化物、SiC、GeC等的碳化物，此外，这些混合材料也可。金 属的碲化物、半导体的碲化物或这些碲化物的氮化物也可。此时，由 于提高记录膜的核形成速度，因此具有保存寿命、覆写时的消除特性 提高等的效果。\n此外，由于上述材料吸收一般光，在光学上无法获得良好效果。 但膜的剥落可被控制、保存寿命提高、多次改写劣化的抑制效果大， 因此第1界面层存在时较为实用。因此，第1界面层的膜厚以在不失 去上述效果的范围内越薄越好。根据发明者等的研究结果，第1界面 层的膜厚为0.5nm以上即十分足够。此外，为5nm以上的场合时， 容易发生反射率降低、信号振幅降低等问题，20nm以上的场合时， 也容易发生反射率降低、信号振幅大幅降低等问题，因此对实用而言 并不适宜。因此，第1界面层的膜厚以0.5nm以上20nm以下为适， 较佳为0.5nm以上5nm以下。\n(记录层)\n本发明所使用的记录层，以相变记录材料特别合适，已知取代上 述实施例中所使用的Ge28Sb18Te54的记录层材料，以Ge为25～38原子％、 Sb为13～20原子％、Ge为50～55原子％的范围内的组成，其可改写次 数特别不容易降低。此外，添加1～15摩尔％的SnTe，可提高本发明 的信息记录媒体的保存寿命。\n使记录膜的膜厚至少为凸部与凹部的高度差(槽深度)以下的场合 时，交叉消除降低效果大。此外，记录层膜厚为4～20nm的场合，调 制度大，记录膜流动不易发生，因而较佳。此外，记录层膜厚为4～ 10nm的场合时更佳。记录层膜厚比4nm薄的场合，反射率、信号振 幅等会显著降低，但对覆写偏差抑制效果、多次改写时的记录膜流动 抑制效果很大。此外，记录层膜厚较10nm厚的场合，反射率、信号 振幅等虽为良好，但明显发生覆写偏差上升、多次改写时的记录膜流 动等弊端。此外，本实施例的光盘是对于记录膜熔点为630℃以上的 高熔点记录层材料进行记录，但本发明基本上是在于提高通过激光束 发热，并以该热对记录标记进行记录的光盘的记录层附近的热稳定性， 因此记录膜熔点并不需要为630℃以上。\n(保护层)\nSnO2与硫化物、过渡金属氧化物以一定比例混合时，具有与 ZnS-SiO2相同程度的低热传导率，喷溅率高，为透明且热稳定性好， 即使是在以熔点为630℃以上的相变材料为记录层的场合时，也显示 具有良好的热稳定性因而较佳。特别是锡的含有量为23.3～32.3原子 ％的场合(SnO2的含有量为70～97摩尔％)，即使进行了10万多次的多 次信息记录，也可控制再生信号劣化于实用的水平。\n此外，发明人等努力研究的结果，如以下所示，在SnO2中添加硫 化物、过渡金属氧化物的场合时，发现上述的效果特别显著。具体而 言，Zn、Sb、Au、Ag、Si、Ge、Co、Sn、C、Ta、Fe、Cu、Nb、Ni、V、 Ba、Bi、Mn、Mo等的硫化物、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zr、 Nb、Mo、Ta、W等的过渡金属氧化物较佳。\n这是因SnO2中的Sn因信息记录时的热而从氧游离时，Sn被捕捉 的原因。特别是由于保护层改变ZnS与SnO2的混合比可使其热传导率 显著降低，因此做为保护层为最适。此外，保护层的膜厚以25～200nm 左右为佳。最好是凸部凹部间的高度差(基板上的槽深度、激光波长的 1/7～1/5左右)以上。此外，保护层与吸收率控制层的膜厚之和为凸 部凹部间的高度差以上也可。保护层的膜厚为25nm以下，或保护层 与吸收率控制层的膜厚之和为凸部凹部间的高度差以下时，于记录层 记录时所产生的热会传至热扩散层，记录于相邻的磁道的记录标记容 易被消除。即，有容易发生交叉消除的问题。此外，保护层的膜厚为 200nm以上时，由于信息记录时的记录层冷却速度极小，因此会发生 难以非晶质化(记录标记难以形成)的弊端，同时会发生磁盘面内的反 射率分布比生产时光盘面内的保护层的膜厚分布大的问题。\n(吸收率控制层)\nDVD-RAM是如先前所述由于再生信号振幅较小，必须极力抑制覆写 时产生的残余所造成的再生信号劣化，因此，于热扩散层与第2干涉 层间设置吸收率控制层。\n吸收率控制层以多个折射率n、k为1.4＜n＜4.5、-3.5＜k＜- 0.5的范围内为佳，特别是2＜n＜4、-3.0＜k＜-0.5的材料较佳。 吸收率控制层由于吸收光，因此以热稳定性材料为佳，较佳者为要求 熔点在1000℃以上。此外，在保护层添加硫化物的场合，特别是具有 较大的交叉消除降低效果的吸收率控制层的场合，ZnS等的硫化物的 含有量最好至少比添加于保护层的上述硫化物的含有量少。这是因为 会出现熔点降低、热传导率降低、吸收率降低等不利影响。上述吸收 率控制层的组成以金属与金属氧化物、金属硫化物、金属氮化物、金 属碳化物的混合物较佳，Cr与Cr2O3的混合物对覆写特性的提高显示 了特别好的效果。特别是Cr为60～95原子％时，可获得具有适合本发 明的热传导率、光学常数的材料。具体而言，上述金属以Al、Cu、Ag、 Au、Pt、Pd、Co、Ti、Cr、Ni、Mg、Si、V、Ca、Fe、Zn、Zr、Nb、Mo、 Rh、Sn、Sb、Te、Ta、W、Ir、Pb混合物较佳，而金属氧化物、金属 硫化物、金属氮化物、金属碳化物则以SiO2、SiO、TiO2、Al2O3、Y2O3、 CeO、La2O3、In2O3、GeO、GeO2、PbO、SnO、SnO、SnO2、Bi2O3、TeO2、 MO2、WO2、WO3、Sc2O3、Ta2O5、ZrO2较佳。其它如Si-O-N系材料、Si-Al-O-N系材料、Cr2O3等的Cr-O系材料、Co2O3、CoO等的Co-O系材料的氧化 物、TaN、AlN、Si3N4等的Si-N系材料、Al-Si-N系材料(例如AlSiN2)、 Ge-N系材料的氮化物、ZnS、Sb2S3、CdS、In2S3、Ga2S3、GeS、SnS2、PbS、 Bi2S3等的硫化物、SnSe3、Sb2S3、CdSe、ZnSe、In2Se3、Ga2Se3、GeSe、 GeSe2、SnSe、PbSe、Bi2Se3等的硒化物，或CeF3、MgF2、CaF2等的氟 化物、或使用接近上述材料的组成物的吸收率控制层也可。\n此外，吸收率控制层的膜厚以10nm以上100nm以下为佳，20nm 以上50nm以下时可呈现出特别良好的覆写特性提高效果。此外，保 护层、吸收率控制层的膜厚之和为槽深度以上时，交叉消除降低效果 将更显著。如先前所说明，吸收率控制层具有吸收光的性质。因此， 与记录层吸收光而发热一样，吸收率控制层也会吸收光而发热。此外， 吸收率控制层的吸收率于记录层为非晶质状态时，使其比记录层为晶 质状态时大是非常重要。如此，通过光学设计，可发现使记录层为非 晶质状态时的记录层上的吸收率Aa小于记录层为晶质状态时的记录 层上的吸收率Ac这样的效果。此效果可使覆写特性大幅度地提高。为 获得以上的特性，必须使吸收率控制层的吸收率提高30～40％左右。 此外，吸收率控制层的发热量会因记录层的状态为结晶状态，或是非 结晶状态而异。结果，由记录层往热扩散层的热流会依记录层的状态 而变化，此现象可抑制覆写所引起的偏差上升。\n以上的效果是由于吸收率控制层的温度上升，而可遮断由记录层 往热扩散层的热流的效果。为有效利用该效果，保护层与吸收率控制 层的膜厚之和最好为凸部槽凹部间的高度差(基板上的槽深度，激光波 长1/7～1/5)以上。保护层与吸收率控制层的膜厚之和为凸部槽凹部 间的高度差以下时，于记录层记录时所产生的热会传播的扩散层，记 录于相邻磁道记录标记容易被消除。\n(热扩散层)\n热扩散层以高反射率、高热传导率的金属或合金为佳，Al、Cu、 Ag、Au、Pt、Pd总含有量为90原子％以上者较佳。此外，Cr、Mo、W等高熔点且硬度大的材料及其合金可防止因多次改写时记录层材料的 流动所引起的劣化，因此也佳。特别是含有95原子％的Al的热扩散层 的场合，可得到廉价、高CNR、高纪录感度、多次改写耐性优，且交 叉消除降低效果极大的信息记录媒体。尤其上述热扩散层为含有95原 子％的Al时，可得到廉价且耐蚀性优的信息记录媒体。\n添加至Al的元素，以Co、Ti、Cr、Ni、Mg、Si、V、Ca、Fe、Zn、 Zr、Nb、Mo、Rh、Sn、Sb、Te、Ta、W、Ir、Pb、B的耐蚀性优，但添 加元素为Co、Cr、Ti、Ni、Fe时，特别具有提高耐蚀性的效果。此外， 上述热扩散的膜厚为30nm以上，100nm以下为较佳。热扩散层的膜 厚若比30nm薄，则因记录层中所产生的热量难以扩散，尤其是改写 10万次左右后，记录层易于劣化，此外，也容易发生交叉消除。此外， 由于会透过光，而难以做为热扩散层，再生信号振幅降低。此外，在 与吸收率控制层所含有的金属元素与热扩散层所含有的金属元素相同 时，生产上有非常大的优点。即可使用同一目标而制造吸收率控制层 与热扩散层2层。即吸收率控制层制膜时以Ar-O2混合气体、Ar-N2混 合气体等的混合气体喷溅，喷溅中使金属元素与氧、或氮反应而制作 适当折射率的吸收率控制层，热扩散层制膜时以Ar气体喷溅而制作热 传导率高的金属的热扩散层。\n热扩散层的膜厚为200nm以上时，生产性变差，热扩散层的内部 应力会使基板发生弯曲等，无法正确进行信息记录的再生。此外，热 扩散层的膜厚若为30nm以上90nm以下，则就耐蚀性、生产性而言 较佳。\n发明的效果\n根据上述构成，可将10万次信息记录后的再生信号劣化控制于实 用的标准内，以进行多次改写。