首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据，仅供参考，实际以国家知识产权局展示为准

一种立式原子层沉积设备

发明专利无效专利

申请号：
CN201210136078.7
IPC分类号：C23C16/44
申请日期：
2012-05-04
申请人：
嘉兴科民电子设备技术有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种立式原子层沉积设备
申请号	CN201210136078.7	申请日期	2012-05-04
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2012-08-01	公开/公告号	CN102618848A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C16/44 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C16/00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积（CVD）工艺（反应溅射或真空蒸发入C23C 14/00）〔4〕 C23C16/44 以镀覆方法为特征的（C23C 16/04优先）〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;6;/;4;4查看分类表>
申请人	嘉兴科民电子设备技术有限公司	申请人地址	浙江省嘉兴市南湖区凌公塘路3339号（嘉兴科技城）综合楼A座213室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	嘉兴科民电子设备技术有限公司	当前权利人	嘉兴科民电子设备技术有限公司
发明人	刘传钦;屈芙蓉;李超波
代理机构	北京市德权律师事务所	代理人	刘丽君

摘要

本发明公开了一种立式原子层沉积设备，属于原子层沉积设备技术领域。该设备包括主腔室和送片机构，送片机构设置于主腔室的外部，送片机构将硅片从主腔室外部送入到主腔室内部。该设备避免了由于送片机构的导轨磨损产生金属碎末而对成片质量造成影响。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供