一种基于肖特基势垒的气体光检测器

实用新型专利无效专利

申请号：
CN201821674556.9
IPC分类号：G01N21/63;G01N27/12;B82Y15/00
申请日期：
2018-10-16
申请人：
中山科立特光电科技有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种基于肖特基势垒的气体光检测器
申请号	CN201821674556.9	申请日期	2018-10-16
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N21/63 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N21/00 利用光学手段，即利用红外光、可见光；或紫外光来测试或分析材料（G01N 3/00至G01N 19/00优先） G01N21/62 所测试的材料在其中被激发，因之引起材料发光或入射光的波长发生变化的系统〔3〕 G01N21/63 光学激发的〔3〕	IPC分类号	G;0;1;N;2;1;/;6;3;;;G;0;1;N;2;7;/;1;2;;;B;8;2;Y;1;5;/;0;0查看分类表>
申请人	中山科立特光电科技有限公司	申请人地址	广东省中山市五桂山商业街118号4楼501房变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中山科立特光电科技有限公司	当前权利人	中山科立特光电科技有限公司
发明人	不公告发明人
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本实用新型涉及一种基于肖特基势垒的气体光检测器，包括弧面在下方的半圆形透光棱镜，半圆形透光棱镜的平面上方设置有气体感应层，气体感应层的上方设置有N型半导体层，N型半导体层的上方设置有金属层，金属层与外接电源的正极电连接，N型半导体层外接电源的负极电连接；基于肖特基势垒的气体光检测器，通过在检测器中设置气体感应层，由入射光入射气体感应层从而引起肖特基结的肖特基势垒发生变化，不同气体填充在气体感应层，会引起肖特基势垒不同的变化，在已知入射光特性的情况，根据肖特基势垒的变化，判断待测气体的特性，该基于肖特基势垒的气体光检测器，结构简单，实现了基于肖特基势垒检测器的多用能应用。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供