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浅沟槽隔离结构及其形成方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201010592926.6
  • IPC分类号:H01L21/762;H01L29/06
  • 申请日期:
    2010-12-16
  • 申请人:
    中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
著录项信息
专利名称浅沟槽隔离结构及其形成方法
申请号CN201010592926.6申请日期2010-12-16
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2012-07-04公开/公告号CN102543820A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/762IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;2;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请人地址
北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中芯国际集成电路制造(北京)有限公司当前权利人中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
发明人符云飞;任万春;郭世璧;荆学珍
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人骆苏华
摘要
一种浅沟槽隔离结构形成方法,包括:提供衬底,所述衬底内形成有浅沟槽;在所述浅沟槽表面形成衬垫介质层;在所述衬垫介质层表面形成第一隔离介质层;在所述第一隔离介质层表面形成填充满所述浅沟槽的第二隔离介质层;对所述衬垫介质层、第一隔离介质层、第二隔离介质层进行退火处理。相应地,本发明还提供利用上述方法所形成的浅沟槽隔离结构,采用本发明所提供的浅沟槽隔离结构及其形成方法可以提高浅沟槽隔离结构的应力,从而提高MOS器件沟道区载流子的迁移速率,进而提高MOS器件的性能。

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