低缺陷密度、自间隙原子为主的硅

发明专利无效专利

申请号：
CN200610058336.9
IPC分类号：C30B29/06;C30B15/00
申请日期：
1998-04-09
申请人：
MEMC电子材料有限公司

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著录项信息

专利名称	低缺陷密度、自间隙原子为主的硅
申请号	CN200610058336.9	申请日期	1998-04-09
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2006-11-01	公开/公告号	CN1854353
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/06 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/02 元素〔3〕 C30B29/06 硅〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;0;6;;;C;3;0;B;1;5;/;0;0查看分类表>
申请人	MEMC电子材料有限公司	申请人地址	美国密苏里州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	MEMC电子材料有限公司	当前权利人	MEMC电子材料有限公司
发明人	R·法尔斯特;S·A·马克格拉夫;S·A·麦奎德;J·C·霍尔泽;P·马蒂;B·K·约翰逊
代理机构	北京市中咨律师事务所	代理人	马江立;吴鹏

摘要

本发明涉及具有不含聚集本征点缺陷轴对称区的单晶硅(硅棒或硅片形式)及其制备工艺。这种生长单晶硅棒的工艺包括控制(i)生长速度v，(ii)在从结晶温度到不低于约1325℃的温度范围内晶体恒定直径段生长期间的平均轴向温度梯度G0；以及(iii)为形成该基本不含聚集本征点缺陷轴对称区而使晶体从结晶温度到约1050℃的冷却速度。这个轴对称区从晶棒圆周边向内扩延，从硅棒的圆周边径向朝中心轴测得的宽度至少约为晶棒半径长度的十分之三，沿中心轴测得的长度至少约为晶棒恒定直径段长度的十分之二。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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