一种CMOS低失真低噪声放大器电路

发明专利有效专利

申请号：
CN202010830059.9
IPC分类号：H03F1/26;H03F3/45
申请日期：
2020-08-18
申请人：
成都信息工程大学

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法律信息

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著录项信息

专利名称	一种CMOS低失真低噪声放大器电路
申请号	CN202010830059.9	申请日期	2020-08-18
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-11-13	公开/公告号	CN111934627A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H03F1/26 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H03 基本电子电路 H03F 放大器（测量、试验入G01R；光参量放大器入G02F；具有二次发射管的电路装置入H01J 43/30；微波激射器，激光器入H01S；电动放大器入H02K；放大的控制入H03G；与放大器特性无关的耦合装置，分压器入H03H；只能处理脉冲的放大器入H03K；传输线路中的中继器电路入H04B 3/36、H04B 3/58；电话通信中音频放大器的应用入H04M 1/60，H04M 3/40） H03F1/00 只用电子管，只用半导体器件或只用未特别指明的器件作为放大元件的放大器的零部件 H03F1/26 为减少由放大元件产生的噪声影响对放大器的改进	IPC分类号	H;0;3;F;1;/;2;6;;;H;0;3;F;3;/;4;5查看分类表>
申请人	成都信息工程大学	申请人地址	四川省成都市西南航空港经济开发区学府路1段24号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	成都信息工程大学	当前权利人	成都信息工程大学
发明人	郭本青;陈鸿鹏;邬经伟
代理机构	成都虹盛汇泉专利代理有限公司	代理人	暂无

摘要

本发明公开一种CMOS低失真低噪声放大器电路，应用于射频集成电路领域，针对现有技术中放大器电路的三阶交调线性度在0dBm以下，也难于应对大信号干扰环境的问题；本发明的跨导输入级采用互补共源级结构，使得电流效率加倍；线性提高级采用互补共射级来改善互补共源级的小信号线性度；反馈级采用源随器解决非线性有源反馈的二阶相互作用问题；片外元件与输入寄生电容构成π型匹配网络增强输入匹配带宽，从而避免使用片上大容量电感；共模反馈电路则通过检测低噪放电路的输出端口的共模电压，并与参考电压进行比较，得到的误差信号通过偏置电阻反馈连接到Mp1、Mp2的栅极，进行动态调整，使得电路工作在稳定的直流工作点。

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