一种抑制PECVD法生长多晶硅表面爆膜的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202211298705.7
IPC分类号：H01L31/18;H01L21/02;H01L31/0216;H01L31/0236;H01L31/054;C23C16/24
申请日期：
2022-10-24
申请人：
英利能源发展（天津）有限公司;英利能源发展有限公司;英利能源（中国）有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种抑制PECVD法生长多晶硅表面爆膜的方法
申请号	CN202211298705.7	申请日期	2022-10-24
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2022-11-22	公开/公告号	CN115377252A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/18 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/058 （转入H01L 31/0525，H02S 40/44） H01L31/18 专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;1;8;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;1;6;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;3;6;;;H;0;1;L;3;1;/;0;5;4;;;C;2;3;C;1;6;/;2;4查看分类表>
申请人	英利能源发展（天津）有限公司;英利能源发展有限公司;英利能源（中国）有限公司	申请人地址	天津市宁河区现代产业区海航东路5号（天津英利新能源有限公司院内）变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	英利能源发展（天津）有限公司,英利能源发展有限公司,英利能源（中国）有限公司	当前权利人	英利能源发展（天津）有限公司,英利能源发展有限公司,英利能源（中国）有限公司
发明人	郎芳;张伟;王子谦;潘明翠;王红芳;翟金叶;王平;张文辉;李青娟;韩华华;张磊;陈志军;赵鹏;李锋;史金超
代理机构	河北国维致远知识产权代理有限公司	代理人	任青

摘要

本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开一种抑制PECVD法生长多晶硅表面爆膜的方法。所述方法包括以下步骤将硅片进行微制绒工序，形成微制绒表面；采用PECVD法在所述微制绒表面上依次沉积隧穿氧化层和多晶硅层。采用本发明提供的方法能够在保证不降低TOPCon太阳能电池转化效率的前提下，还能避免采用PECVD法沉积多晶硅层发生爆膜的问题，方法简单，只是在常规抛光的过程中，添加微制绒工序，工艺步骤简单，无需增加新工艺和新设备，无其他成本增加，有利于工业化生产，对提高TOPCon太阳能电池的成品率具有重要意义。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供