一种氟化二维羟基硅烷材料及制备方法发明专利
申请号：CN201710779697.0
LOC分类号:C01B33/10
IPC结构图谱：
- C化学；冶金
- C2冶金
- C23对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕
- C23C对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕
- C23C24/00自无机粉末起始的镀覆（熔融态覆层材料的喷镀入C23C4/00；固渗入C23C8/00-C23C12/00 〔4，2006.01〕
- C23C24/08加热法或加压加热法的（C23C 24/04优先）〔4〕
- C23C24/10覆层中临时形成液相的〔4〕
