一种氟化二维羟基硅烷材料及制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201710779697.0
IPC分类号：C01B33/10
申请日期：
2017-09-01
申请人：
天津大学

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种氟化二维羟基硅烷材料及制备方法
申请号	CN201710779697.0	申请日期	2017-09-01
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2019-03-05	公开/公告号	CN109422268A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C01B33/10 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C01 无机化学 C01B 非金属元素；其化合物（制备元素或二氧化碳以外无机化合物的发酵或用酶工艺入C12P 3/00；用电解法或电泳法生产非金属元素或无机化合物入C25B） C01B33/00 硅；其化合物（C01B 21/00，C01B 23/00优先；过硅酸盐入 C01B 15/14；碳化物入C01B32/956）〔1，3，2006.01〕 C01B33/08 含卤素的化合物 C01B33/10 含硅、氟和其他元素的化合物	IPC分类号	C;0;1;B;3;3;/;1;0查看分类表>
申请人	天津大学	申请人地址	天津市南开区卫津路92号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	天津大学	当前权利人	天津大学
发明人	封伟;王宇;赵付来;冯奕钰
代理机构	天津创智天诚知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	王秀奎

摘要

本发明公开一种氟化二维羟基硅烷材料及制备方法，以钙硅反应得到二硅化钙，再与浓盐酸反应得到羟基硅烷，最后与氟气反应即可得到氟化二维羟基硅烷材料，氟原子取代氢原子从而得到氟化后的二维材料。本发明反应原料易得，过程简便，工艺简单，氟化后材料对氧气耐受性提高，带隙得到调整，材料制备以及稳定性对比其他类石墨烯二维材料具有显著优势。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供