表面发射激光器元件和阵列、光学扫描装置以及成像设备

发明专利有效专利

申请号：
CN200910139045.6
IPC分类号：H01S5/183;H01S5/187;H01S5/42;G02B26/10;G03G15/04
申请日期：
2009-05-15
申请人：
株式会社理光

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法律信息

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著录项信息

专利名称	表面发射激光器元件和阵列、光学扫描装置以及成像设备
申请号	CN200910139045.6	申请日期	2009-05-15
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2009-11-18	公开/公告号	CN101582562
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01S5/183 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S5/00 半导体激光器〔7〕 H01S5/10 光学谐振腔的结构或形状〔7〕 H01S5/18 面发射〔SE〕激光器〔7〕 H01S5/183 具有垂直腔的〔VCSE-激光器〕〔7〕	IPC分类号	H;0;1;S;5;/;1;8;3;;;H;0;1;S;5;/;1;8;7;;;H;0;1;S;5;/;4;2;;;G;0;2;B;2;6;/;1;0;;;G;0;3;G;1;5;/;0;4查看分类表>
申请人	株式会社理光	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社理光	当前权利人	株式会社理光
发明人	原坂和宏;佐藤俊一;轴谷直人;石井稔浩
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	王冉

摘要

本发明公开了一种表面发射激光器元件和阵列、光学扫描装置以及成像设备在表面发射激光器元件中，在衬底上，该衬底的主表面的法线方向是倾斜的，包括有源层的谐振器结构体和夹住谐振器结构体的下半导体DBR和上半导体DBR堆叠。在上半导体DBR的氧化物限制结构中的电流通过区域的形状关于通过电流通过区域的中心并平行于X轴的轴对称，并关于通过电流通过区域的中心并平行于Y轴的轴对称，电流通过区域的长度在Y轴方向大于在X轴方向。围绕电流通过区域的氧化层厚度在-Y方向大于在+X和-X方向。

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