一种在聚晶金刚石复合片上沉积CVD金刚石涂层的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201710290883.8
IPC分类号：C23C16/27
申请日期：
2017-04-28
申请人：
同济大学

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专利名称	一种在聚晶金刚石复合片上沉积CVD金刚石涂层的方法
申请号	CN201710290883.8	申请日期	2017-04-28
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2017-10-10	公开/公告号	CN107236935A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C16/27 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C16/00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积（CVD）工艺（反应溅射或真空蒸发入C23C 14/00）〔4〕 C23C16/22 以沉积金属材料以外之无机材料为特征的〔4〕 C23C16/26 仅沉积碳〔4〕 C23C16/27 仅沉积金刚石〔7〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;6;/;2;7查看分类表>
申请人	同济大学	申请人地址	上海市杨浦区四平路1239号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	同济大学	当前权利人	同济大学
发明人	简小刚;黄卓
代理机构	上海科盛知识产权代理有限公司	代理人	林君如

摘要

本发明涉及一种在聚晶金刚石复合片上沉积CVD金刚石涂层的方法，包括以下步骤：(1)取聚晶金刚石复合片机械打磨，酸洗，再超声振荡清洗，烘干，得到预处理的聚晶金刚石复合片基底；(2)取预处理后的聚晶金刚石复合片基底置入微波等离子化学气相沉积设备中，在真空条件下，通入氢气至反应体系为100％氢气气氛，使聚晶金刚石复合片基底表面被氢气刻蚀；(3)再通入CH4气体，沉积CVD金刚石涂层，完成后冷却至室温，即完成CVD金刚石涂层的沉积；在通入CH4气体时还可以同时通入氩气。与现有技术相比，本发明的CVD金刚石涂层与聚晶金刚石复合片的膜基界面的结合强度高，不会发生粘结剂热胀冷缩和氧化所产生的热龟裂裂纹导致工具失效的问题等。

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