一种应变锗激光器及其制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201811289831.X
IPC分类号：H01S5/32;H01S5/22;H01S5/12
申请日期：
2018-10-31
申请人：
华中科技大学

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种应变锗激光器及其制作方法
申请号	CN201811289831.X	申请日期	2018-10-31
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2019-02-26	公开/公告号	CN109390845A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01S5/32 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S5/00 半导体激光器〔7〕 H01S5/30 激活区的结构或形状；用于激活区的材料〔7〕 H01S5/32 含有PN结的，例如异结的或双异质结的结构（H01S 5/34，H01S 5/36优先）〔7〕	IPC分类号	H;0;1;S;5;/;3;2;;;H;0;1;S;5;/;2;2;;;H;0;1;S;5;/;1;2查看分类表>
申请人	华中科技大学	申请人地址	湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华中科技大学	当前权利人	华中科技大学
发明人	孙军强;江佳霖
代理机构	华中科技大学专利中心	代理人	李智;曹葆青

摘要

本发明公开了一种应变锗激光器及其制作方法，应变锗激光器从下往上依次为：衬底层、第一键合介质层、第二键合介质层、锗层、绝缘介质层、P电极和N电极；锗层中间凹陷区域通过键合与第一键合介质层结合为一体，第二键合介质层支撑锗层的两端。本发明使用第一键合介质层和第二键合介质层，使得应变锗激光器为非悬空结构，相比于悬空结构的激光器，器件的稳定性和导热性能大幅度提高；同时，非悬空结构使得有源区的下表面得到保护，能够降低载流子的表面复合，从而提高激光器的发光效率；通过保留一段长度为四分之一波长的波导为光栅的相移区，打破光栅的模式简并，使光在布拉格波长激射，从而显著提高边模抑制比，该光栅能进一步降低光学损耗。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供