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由门阵列结构建立集成电路电容的方法和装置

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200710004437.2
  • IPC分类号:H01L27/04;H01L21/822
  • 申请日期:
    2007-01-22
  • 申请人:
    国际商业机器公司
著录项信息
专利名称由门阵列结构建立集成电路电容的方法和装置
申请号CN200710004437.2申请日期2007-01-22
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2007-07-25公开/公告号CN101005070
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/04IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;0;4;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;2查看分类表>
申请人国际商业机器公司申请人地址
美国纽约阿芒克 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人国际商业机器公司当前权利人国际商业机器公司
发明人小安东尼·科雷尔;本杰明·J·鲍尔斯;道格拉斯·T·拉姆;尼施斯·罗哈特吉
代理机构北京市柳沈律师事务所代理人张波
摘要
本发明公开了一种在集成电路内采用门阵列建立电容结构的方法和装置。实施例包括一种方法,所述方法包括:在集成电路设计中布置由P型场效应晶体管(P-fet)和N型场效应晶体管(N-fet)构成的门阵列;将一个或多个P-fet的漏极和源极以及一个或多个N-fet的栅极耦接至电源地;以及将所述一个或多个P-fet的栅极以及所述一个或多个N-fet的漏极和源极耦接至电源的正电压。在一些实施例中,通过分别将一个或多个P-fet和一个或多个N-fet偏置到正电压和地,使由P-fet和N-fet构成的电容装置的源极到漏极泄漏电流最小化。在其他实施例中,可以采用熔性元件实现所述电容结构,从而在发生短路时隔离所述电容结构。

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