具有低调制电场和高介电可调性的蠕虫结构取向生长钡铁氧体薄膜及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202210872246.2
IPC分类号：C30B28/02;C30B29/22;H01F10/20;H01F41/00
申请日期：
2022-07-19
申请人：
浙江大学;杭州绿联研究院有限公司

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专利名称	具有低调制电场和高介电可调性的蠕虫结构取向生长钡铁氧体薄膜及其制备方法
申请号	CN202210872246.2	申请日期	2022-07-19
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2022-10-21	公开/公告号	CN115216839A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B28/02 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B28/00 制备具有一定结构的均匀多晶材料〔5〕 C30B28/02 由固态直接制备〔5〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;8;/;0;2;;;C;3;0;B;2;9;/;2;2;;;H;0;1;F;1;0;/;2;0;;;H;0;1;F;4;1;/;0;0查看分类表>
申请人	浙江大学;杭州绿联研究院有限公司	申请人地址	浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	浙江大学,杭州绿联研究院有限公司	当前权利人	浙江大学,杭州绿联研究院有限公司
发明人	杜丕一;吕爽;马宁;王宗荣;戴正冠;樊谊军;何旭昭
代理机构	杭州求是专利事务所有限公司	代理人	万尾甜;韩介梅

摘要

本发明公开了一种具有低调制电场和高介电可调性的蠕虫结构取向生长钡铁氧体薄膜，该薄膜为钡过量的钡铁氧体薄膜，相对于化学计量钡铁氧体BaFe12O19，该薄膜中钡和铁的摩尔比为Ba:Fe＝x:12，其中x＝2～3；所述薄膜具有蠕虫状微结构形态，为(00l)取向多晶材料。得到的蠕虫结构钡铁氧体薄膜，具有低调制电场和高介电可调性，介电调谐率为最高>60％，优值最高>16，调制偏置电场150～400V/cm。本发明采用溶胶凝胶结合旋转涂布制备方法，过程简单、可控性强、制备周期短、成本低廉，可以得到在很低调制电场下表现出高介电调谐率的单相钡铁氧体薄膜材料。这种钡铁氧体薄膜在介电可调器件以及集成电路领域有广泛的应用。

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