一种等离子体增强原子层沉积碳化镍薄膜的设备及方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201711104392.6
IPC分类号：C23C16/32;C23C16/455;C23C16/505
申请日期：
2017-11-10
申请人：
北京印刷学院

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种等离子体增强原子层沉积碳化镍薄膜的设备及方法
申请号	CN201711104392.6	申请日期	2017-11-10
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2018-05-08	公开/公告号	CN108004522A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C16/32 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C16/00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积（CVD）工艺（反应溅射或真空蒸发入C23C 14/00）〔4〕 C23C16/22 以沉积金属材料以外之无机材料为特征的〔4〕 C23C16/30 沉积化合物、混合物或固溶体，例如硼化物、碳化物、氮化物〔4〕 C23C16/32 碳化物〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;6;/;3;2;;;C;2;3;C;1;6;/;4;5;5;;;C;2;3;C;1;6;/;5;0;5查看分类表>
申请人	北京印刷学院	申请人地址	北京市大兴区兴华大街（二段）1号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京印刷学院	当前权利人	北京印刷学院
发明人	刘忠伟;桑利军;郭群
代理机构	安徽合肥华信知识产权代理有限公司	代理人	余成俊

摘要

本发明公开了一种等离子体增强原子层沉积碳化镍薄膜的设备及方法，包括有载气瓶、氢气瓶、AMD‑Ni单体瓶、DAD‑Ni单体瓶、加热炉、机械泵和射频电源，将AMD‑Ni单体瓶和DAD‑Ni单体瓶放在加热套内，加热套内壁缠上加热带，在加热炉内设有反应腔，反应腔内放有基片台，基片台内置有热电偶，所述的载气瓶的出气口分别连接质量流量控制器一、流量控制器二、流量控制器三，流量控制器一的出口依次连接ALD阀一和AMD‑Ni单体瓶的进口，流量控制器二的出口依次连接ALD阀二和DAD‑Ni单体瓶的进口、流量控制器三的出口依次连接ALD阀三和三通阀的一口。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供