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基于氢化二氧化钛纳米棒阵列/硅异质结的宽带光探测器及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201711153681.5
  • IPC分类号:H01L31/032;H01L31/0352
  • 申请日期:
    2017-11-20
  • 申请人:
    中国石油大学(华东)
著录项信息
专利名称基于氢化二氧化钛纳米棒阵列/硅异质结的宽带光探测器及其制备方法
申请号CN201711153681.5申请日期2017-11-20
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2018-04-13公开/公告号CN107910392A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/032
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;0;3;2;;;H;0;1;L;3;1;/;0;3;5;2查看分类表>
申请人中国石油大学(华东)申请人地址
山东省青岛市黄岛区长江西路66号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国石油大学(华东)当前权利人中国石油大学(华东)
发明人凌翠翠;郭天超;薛庆忠;赵琳;侯志栋
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本发明具体提供了一种基于氢化二氧化钛纳米棒阵列和n型硅基底形成的n‑n同型异质结的高性能宽带光探测器。首先利用旋涂方法在n型硅基底上生长二氧化钛多孔薄膜;然后通过水热法方法诱导种子层生成二氧化钛纳米棒阵列;并对其进行氢化处理得到氢化二氧化钛纳米棒阵列;最后通过磁控溅射法制备透光金属层电极薄膜。本发明利用氢化二氧化钛纳米棒阵列/硅异质结的界面效应制备的宽带光探测器具有工艺简单,成本低廉,无需加热器,能在室温下工作,及耗能低,灵敏度高,响应、恢复时间短的特点,且宽带光探测器对紫外到红外光均具有良好的检测性能,具有重要的应用前景。

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