加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

在半导体器件的双镶嵌结构中降低接触电阻的方法和结构

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200410066664.4
  • IPC分类号:H01L21/768;H01L21/28
  • 申请日期:
    2004-09-21
  • 申请人:
    中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
著录项信息
专利名称在半导体器件的双镶嵌结构中降低接触电阻的方法和结构
申请号CN200410066664.4申请日期2004-09-21
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2006-03-29公开/公告号CN1753162
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/768IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;8;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8查看分类表>
申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请人地址
变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司当前权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
发明人宁先捷
代理机构北京东方亿思知识产权代理有限责任公司代理人陈红
摘要
本发明公开了一种集成电路器件结构。该结构包括衬底,覆盖衬底上的电介质层,和覆盖电介质层上的金属互连。围绕着金属互连形成第一中间电介质层。第二中间电介质层覆盖在第一中间电介质层上。在第二中间电介质层的上部内形成沟槽开口。第一阻挡层位于沟槽开口内并覆盖在沟槽开口上。接触开口位于所述第二中间电介质层的下部内。第二中间电介质层下部耦合到第二中间电介质层上部。第二阻挡层设在接触开口的开口内,并覆盖在接触开口的开口上以及第一阻挡层上。第二阻挡的定向的部分或移除形成了低接触阻挡结构。铜材料被形成覆盖在第一阻挡层和第二阻挡层上,以基本填充第二中间电介质层内的接触开口和沟槽。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供