一种LED封装结构及其发光方法、发光装置

发明专利有效专利

申请号：
CN202010176693.5
IPC分类号：H01L33/60;H01L33/50
申请日期：
2020-03-13
申请人：
纳晶科技股份有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种LED封装结构及其发光方法、发光装置
申请号	CN202010176693.5	申请日期	2020-03-13
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2020-08-07	公开/公告号	CN111509113A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/60 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/48 以半导体封装体为特征的〔2010.01〕 H01L33/58 光场整形元件〔2010.01〕 H01L33/60 反光元件〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;6;0;;;H;0;1;L;3;3;/;5;0查看分类表>
申请人	纳晶科技股份有限公司	申请人地址	浙江省杭州市滨江区长河街道秋溢路428号3幢3楼变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	纳晶科技股份有限公司	当前权利人	纳晶科技股份有限公司
发明人	余世荣
代理机构	宁波聚禾专利代理事务所（普通合伙）	代理人	顾赛喜;糜婧

摘要

本发明公开了一种LED封装结构及其发光方法、发光装置，该LED封装结构包括承载体、反射层、芯片层以及量子点层，承载体设有底部、侧壁以及开口；反射层设置于承载体上方且覆盖部分开口，使得剩余部分的开口形成出光口；芯片层设置于承载体的第一底部，芯片层向开口发射第一光线，反射层反射部分或全部的第一光线，形成反射光；量子点层设置于承载体的第二底部，量子点层面向出光口设置，量子点层接收反射光，反射光激发量子点层向外发出第二光线。从而不需要增加垂直方向上量子点层和发光芯片的距离，通过增加光程来减小照射量子点层的光强，进而提高量子点层的光照稳定性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供