高导电率高硅铝基合金及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200810204594.2
IPC分类号：B23P17/00;B22D23/00;B22F3/20;C22C1/03;C22C21/00
申请日期：
2008-12-15
申请人：
同济大学

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著录项信息

专利名称	高导电率高硅铝基合金及其制备方法
申请号	CN200810204594.2	申请日期	2008-12-15
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2009-06-17	公开/公告号	CN101456122
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B23P17/00 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B2 成型 B23 机床；其他类目中不包括的金属加工 B23P 金属的其他加工；组合加工；万能机床（仿形加工或控制装置入B23Q） B23P17/00 不包含在其他单独小类或本小类另外一组的金属加工工艺	IPC分类号	B;2;3;P;1;7;/;0;0;;;B;2;2;D;2;3;/;0;0;;;B;2;2;F;3;/;2;0;;;C;2;2;C;1;/;0;3;;;C;2;2;C;2;1;/;0;0查看分类表>
申请人	同济大学	申请人地址	上海市杨浦区四平路1239号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	同济大学	当前权利人	同济大学
发明人	严彪;安建军
代理机构	上海光华专利事务所	代理人	许亦琳;余明伟

摘要

本发明公开了一种高导电率铝高硅铝基合金及其制备方法，其制备包括如下步骤：a、用纯Al、Si、M合金熔炼得到预制合金Al-aSi-bM，其中，M为稀土、Nb、Fe、Cu、Zr、Ti、V、Cr中的一种或几种，5≤a≤60，0.1≤b≤10；b、将得到的预制合金Al-aSi-bM放入真空感应熔炼炉中熔炼，熔炼完毕，再用氮-氩混合气体保护将熔融态Al-aSi-bM母合金喷射成型；c、将喷射成型态Al-aSi-bM合金放入热挤压机中挤压成型；d、对热挤压后得到的Al-aSi-bM合金进行多道次冷轧。采用本发明中的工艺方法，在获得优良高导电率性能的高硅铝基合金的同时，大大简化工艺，降低成本，有利于批量化生产和应用的推广。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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