加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

低功耗无电阻全CMOS电压基准电路

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201310300808.7
  • IPC分类号:G05F3/24
  • 申请日期:
    2013-07-17
  • 申请人:
    电子科技大学
著录项信息
专利名称低功耗无电阻全CMOS电压基准电路
申请号CN201310300808.7申请日期2013-07-17
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2013-11-27公开/公告号CN103412610A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G05F3/24IPC分类号G;0;5;F;3;/;2;4查看分类表>
申请人电子科技大学申请人地址
四川省成都市高新西区西源大道2006号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人电子科技大学当前权利人电子科技大学
发明人周泽坤;朱世鸿;苟超;张其营;张庆岭;许天辉;崔佳男;张波
代理机构成都宏顺专利代理事务所(普通合伙)代理人李顺德
摘要
本发明涉及一种电压基准电路。本发明针对现有的基准电路需要使用电阻和工艺要求高以及功耗大的问题,公开了一种低功耗无电阻全CMOS电压基准电路。本发明的技术方案是,低功耗无电阻全CMOS电压基准电路,包括偏置电流模块、正温电压模块、负温电压模块及电压叠加模块。本发明利用电压叠加输出电压基准,并通过场效应晶体管结构参数的选择,降低电压基准的温度系数。本发明提出的低功耗无电阻全CMOS电压基准电路,功耗低且不需要使用电阻,也不需要使用任何类型的双极型晶体管,可以采用标准CMOS工艺制作成集成电路,这样使得其适用范围和灵活性得到显著改善。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供