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一种连续制备纳米级阴离子层状材料的方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201010208901.1
  • IPC分类号:C01B13/36
  • 申请日期:
    2010-06-25
  • 申请人:
    湘潭大学
著录项信息
专利名称一种连续制备纳米级阴离子层状材料的方法
申请号CN201010208901.1申请日期2010-06-25
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2010-12-08公开/公告号CN101905870A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C01B13/36IPC分类号C01B13/36查看分类表>
申请人湘潭大学申请人地址
湖南省湘潭市*** 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人湘潭大学当前权利人湘潭大学
发明人曾虹燕;赵策;王亚举;黄炎;杨永杰;魏英民
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本发明公开了一种连续制备纳米级阴离子层状材料的方法,主要由反应,过滤,洗涤,干燥几个步骤组成,相对于国内现有制备阴离子层状材料的方法具有如下优势:(1)所采用的是螺旋通道型旋转床超重力反应器,使得成核在均匀的微观混合环境中进行,从而实现成核快速、粒度分布窄化。通过冷凝NH3,从而使反应器内反应液保持在稳定的较高pH条件,避免了杂相产生。反应时间短,操作简单。(2)反应加入晶种,大大缩短成核诱导期,加速成核,且结晶度高、粒度分布更加均匀;根据加入晶种的粒径尺寸,可调节新生粒子的大小及其分布,达到粒径可控。(3)产品后处理无需晶化过程。(4)该工艺耗时短,可连续化生产,制备出的阴离子层状材料平均粒径为30~90nm。

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