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等离子体处理装置及等离子体分布的调节方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201410836727.3
  • IPC分类号:H01J37/32
  • 申请日期:
    2014-12-24
  • 申请人:
    中微半导体设备(上海)有限公司
著录项信息
专利名称等离子体处理装置及等离子体分布的调节方法
申请号CN201410836727.3申请日期2014-12-24
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2016-07-20公开/公告号CN105789010A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01J37/32IPC分类号H;0;1;J;3;7;/;3;2查看分类表>
申请人中微半导体设备(上海)有限公司申请人地址
上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中微半导体设备(上海)股份有限公司当前权利人中微半导体设备(上海)股份有限公司
发明人李俊良
代理机构上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)代理人林彦之;张磊
摘要
本发明公开了一种等离子体处理装置,其包含反应腔室和驱动单元。反应腔室包括用于载置待处理基片的基座;围绕基片外周设置的组合式遮蔽环,其包括内环和外环;以及多个叉状连杆,其上端分为内外两个支杆,其中外侧支杆对应于外环,内侧支杆对应于内环。每个支杆顶端具有支撑部,外侧支杆的支撑部的高度大于内侧支杆的支撑部的高度。驱动单元驱动叉状连杆在第一位置和第二位置之间垂直移动,当叉状连杆位于第一位置时,两个支杆的支撑部均不与组合式遮蔽环接触;当叉状连杆上升至第二位置时,外环抵贴外侧支杆的支撑部、内环抵贴内侧支杆的支撑部。本发明能够提高基片表面等离子体分布的均匀性。

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