磁记录介质的制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200980136655.9
IPC分类号：G11B5/84
申请日期：
2009-09-17
申请人：
株式会社爱发科

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著录项信息

专利名称	磁记录介质的制造方法
申请号	CN200980136655.9	申请日期	2009-09-17
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2011-08-17	公开/公告号	CN102160116A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11B5/84 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11B 基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储（以不需要通过换能器重现记录值的方式记录测量值的入G01D 9/00；利用有机械标记的带子，例如，穿孔纸带或利用单元记录卡，如穿孔卡片或具有磁性标记的卡片的记录或重现设备入G06K；将数据从记录载体的一种类型转移到另一种类型上的入G06K 1/18；将重放装置的输出耦合到无线电接收机上去的电路入H04B 1/20；唱机拾音器之类的声音机电传感器或为此所用的电路入H04R） G11B5/00 借助于记录载体的激磁或退磁进行记录的；用磁性方法进行重现的；为此所用的记录载体（G11B 11/00优先）〔4〕 G11B5/84 专用于制造记录载体的方法或设备	IPC分类号	G;1;1;B;5;/;8;4查看分类表>
申请人	株式会社爱发科	申请人地址	日本神奈川县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社爱发科	当前权利人	株式会社爱发科
发明人	西桥勉;渡边一弘;森田正;佐藤贤治;田中努;涡卷拓也
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	李浩;王忠忠

摘要

制造磁图案的对比度高的磁记录介质。通过改变用于加速处理气体的离子的加速电压，即便作为抗蚀剂(49)的薄膜部分的离子透过部(48)的膜厚减少，也能够将目标元素的注入量为最大的距磁性层(44)的深度(峰值深度D0、D1)设为设定的深度。通过将峰值深度(D0、D1)设为设定的深度，将磁性膜(44)的处理部(43)从表面非磁性化至背面，并分离磁性部，因而得到磁图案的对比度高的磁记录介质。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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