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高频下具有低介电常数和损耗的硅氧烷及其制备方法和应用

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010813742.1
  • IPC分类号:C07F7/08C08F130/08
  • 申请日期:
    2020-08-13
  • 申请人:
    中国科学院上海有机化学研究所
著录项信息
专利名称高频下具有低介电常数和损耗的硅氧烷及其制备方法和应用
申请号CN202010813742.1申请日期2020-08-13
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2020-11-10公开/公告号CN111909192A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C07F7/08IPC分类号C07F7/08;C08F130/08查看分类表>
申请人中国科学院上海有机化学研究所申请人地址
上海市徐汇区零陵路3*** 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院上海有机化学研究所当前权利人中国科学院上海有机化学研究所
发明人房强;刘凤萍;孙晶
代理机构上海一平知识产权代理有限公司代理人高一平;徐迅
摘要
本发明涉及高频下具有低介电常数和损耗的硅氧烷及其制备方法和应用。具体地,本发明公开了一种硅氧烷单体,以所述单体固化所得树脂在高频下具有低介电常数和低介电损耗、高耐热性、良好加工性和低吸水率,特别适合用于制备高频电路板。

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