专利名称 | 高频下具有低介电常数和损耗的硅氧烷及其制备方法和应用 | ||
申请号 | CN202010813742.1 | 申请日期 | 2020-08-13 |
法律状态 | 实质审查 | 申报国家 | 中国 |
公开/公告日 | 2020-11-10 | 公开/公告号 | CN111909192A |
优先权 | 暂无 | 优先权号 | 暂无 |
主分类号 | C07F7/08 | IPC分类号 | 查看分类表> |
申请人 | 中国科学院上海有机化学研究所 | 申请人地址 |
变更
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权利人 | 中国科学院上海有机化学研究所 | 当前权利人 | |
发明人 | 房强;刘凤萍;孙晶 | ||
代理机构 | 上海一平知识产权代理有限公司 | 代理人 | 高一平;徐迅 |
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