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*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

半导体器件

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201810923288.8
  • IPC分类号:H01L33/38;H01L33/24
  • 申请日期:
    2018-08-14
  • 申请人:
    LG伊诺特有限公司
著录项信息
专利名称半导体器件
申请号CN201810923288.8申请日期2018-08-14
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2019-02-26公开/公告号CN109390446A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/38IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;3;8;;;H;0;1;L;3;3;/;2;4查看分类表>
申请人LG伊诺特有限公司申请人地址
江苏省苏州市太仓市常胜北路168号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人苏州乐琻半导体有限公司当前权利人苏州乐琻半导体有限公司
发明人成演准;朴真秀;崔洛俊
代理机构隆天知识产权代理有限公司代理人李玉锁;石海霞
摘要
实施例公开了一种半导体器件,包括:发光结构,包括第一导电半导体层、第二导电半导体层和有源层;第一电极,电连接至第一导电半导体层;第二电极,电连接至第二导电半导体层;第一覆盖电极,设置在第一电极上;以及绝缘层,设置在第一电极与第二电极之间,其中绝缘层包括设置在第一导电半导体层与第一覆盖电极之间的第一绝缘部以及设置在第一覆盖电极上的第二绝缘部,其中第一覆盖电极包括设置在第一绝缘部的上表面与第二绝缘部的下表面之间的第一突起部。

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