蓄电装置及蓄电装置的制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201110081400.6
IPC分类号：--
申请日期：
2011-03-24
申请人：
株式会社半导体能源研究所

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	蓄电装置及蓄电装置的制造方法
申请号	CN201110081400.6	申请日期	2011-03-24
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2011-09-28	公开/公告号	CN102201601A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	株式会社半导体能源研究所	申请人地址	日本神奈川县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社半导体能源研究所	当前权利人	株式会社半导体能源研究所
发明人	汤川干央
代理机构	上海专利商标事务所有限公司	代理人	张政权

摘要

本发明涉及一种蓄电装置及蓄电装置的制造方法。本发明的目的之一在于提供一种能够提供稳定的电压并能够容易地检测出剩余电容或充电电容的蓄电装置。该蓄电装置，至少包括正极以及以与正极隔着电解质对置的方式设置的负极，其中正极的放电曲线或充电曲线具有平台(也称为电位平坦部)。尤其是一种具有多个平台并通过在多个阶段监测正极电位以能够容易地检测出剩余电容及充电电容的蓄电装置。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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