保护膜、用于晶圆划片膜的基材薄膜及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201510136593.9
IPC分类号：C08L23/06;C08L23/08;C08L31/04;B29C69/00
申请日期：
2015-03-26
申请人：
威士达半导体科技（张家港）有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	保护膜、用于晶圆划片膜的基材薄膜及其制造方法
申请号	CN201510136593.9	申请日期	2015-03-26
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2015-07-22	公开/公告号	CN104788775A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C08L23/06 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C08 有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物 C08L 高分子化合物的组合物（基于可聚合单体的组成成分入C08F、C08G；人造丝或纤维入D01F；织物处理的配方入D06）〔2〕 C08L21/00 未指定的橡胶的组合物〔2〕 C08L23/02 未用化学后处理改性的〔2〕 C08L23/04 乙烯的均聚物或共聚物〔2〕 C08L23/06 聚乙烯〔2〕	IPC分类号	C;0;8;L;2;3;/;0;6;;;C;0;8;L;2;3;/;0;8;;;C;0;8;L;3;1;/;0;4;;;B;2;9;C;6;9;/;0;0查看分类表>
申请人	威士达半导体科技（张家港）有限公司	申请人地址	江苏省苏州市张家港保税区华达路36号科技创业园A幢313室威士达半导体科技（张家港）有限公司变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	威士达半导体科技（张家港）有限公司	当前权利人	威士达半导体科技（张家港）有限公司
发明人	陈田安;崔庆珑
代理机构	常州市维益专利事务所（普通合伙）	代理人	陆华君

摘要

本申请公开了一种保护膜、用于晶圆划片膜的基材薄膜及其制造方法，该制造方法包括：(1)、物料混合，该物料按照重量比包括5％～30％的低密度聚乙烯(LDPE)、10％～45％的线形低密度聚乙烯(LLDPE)、20％～50％的茂金属聚烯烃(MLDPE)、5％～35％的醋酸乙烯酯共聚物(EVA)、0.1％～5％的助剂；(2)、将所述物料进行吹塑法或者流延法制膜，同时采用颗粒度为0.1um到10um的压纹辊进行单面压纹。本发明所获得的基材薄膜相比一般的塑料薄膜做出的晶圆划片膜产品，这种薄膜做出的晶圆划片UV膜产品其优点是：1.需要的UV光能量更小；2.产品不会“粘棍”，3.产品不容易破膜和残胶。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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